明電舎：常温でハイバリア成膜ｰALD(Atomic Layer Deposition)（動画）：
Meidensha:high barrier deposition at room temperature-ALD (Atomic Layer Deposition)：
Meidensha：室温下成功的高阻隔沉积-ALD（原子层沉积）
明電舎：ALD(Atomic Layer Deposition)
世界で初めてALD(Atomic Layer Deposition)成膜技術を開発しました。
常温環境下のキャリアガス（酸化膜の元を運ぶガス）を利用して、原子レベルの膜を積層する新しいALD(Atomic Layer Deposition)成膜技術を確立しました。
本技術の研究開発は国立研究開発法人産業技術総合研究所と共同で行い、2019年2月に特許出願済みです。
成膜技術：ALD(Atomic Layer Deposition)
”熱ダメージに弱いプラスチックフィルム及び極薄フィルム”上に成膜が可能となります。
極めて低い蒸気透過性なので高品質であり、製造工程の消費エネルギーも抑制することができます。
具体的な用途：極めて低い蒸気透過性
- 半導体やディスプレイの封止、
- 2次電池の部品
- 自動車部品などの改質
など幅広い分野への応用が期待できます。
OERプロセス技術：（当社特許取得済み）
明電舎のピュアオゾンジェネレータは、高純度オゾンとエチレンガスを反応させ、常温で高活性なOHラジカルを発生させる明電舎独自の技術です。
この技術を活用すると、常温で有機物（金属以外の物質）の改質、成膜、洗浄が可能です。
2つのプロセス技術を用いた成膜：
既に、2018年4月、常温CVD成膜の製造に成功しました（2018年4月プレスリリース）
今回、より高密度な常温ALD成膜の製造に成功しました。
今後の開発目標：
今後、本技術を、ピュアオゾンジェネレータに組み込みます。
常温CVD成膜、ALD成膜の両方が可能なOERプロセス装置を開発し、販売してまいります。
2019年 | 明電舎
https://www.meidensha.co.jp/news/news_03/news_03_01/1231056_2469.html