Meidensha：室温下成功的高阻隔沉积-ALD（原子层沉积）

Meidensha：室温下成功的高阻隔沉积-ALD（原子层沉积）

Meidensha：ALD（原子层沉积）

我们开发了世界上第一个ALD（原子层沉积）沉积技术。

我们已经建立了一种新的ALD（原子层沉积）沉积技术，该技术在常温环境下使用载气（携带氧化膜源的气体）堆叠原子级膜。

该技术的研究与开发是与国家先进工业科学技术研究所共同进行的，并于2019年2月提交了专利申请。

沉积技术：ALD（原子层沉积）

它能够在“易受热损伤的塑料薄膜和超薄薄膜”上形成薄膜。

极低的蒸汽渗透性可在制造过程中实现高质量和低能耗。

具体应用：极低的透气性

密封半导体和显示器，
二次电池部件
汽车零部件等的改装
可以预期应用于广泛的领域。

OER工艺技术:(我们的专利）

Meidensha的纯臭氧发生器是Meidensha的专有技术，通过使高纯度臭氧与乙烯气体反应，在室温下产生高活性的OH自由基。

使用该技术，可以在常温下改性，沉积和清洁有机物质（金属以外的物质）。

使用两种工艺技术沉积：

我们已经在2018年4月（2018年4月新闻发布）成功制造了室温CVD薄膜。

这次，我们成功制造了更密集的室温ALD薄膜。

未来发展目标：

将来，我们将把这项技术融入纯臭氧发生器中。

我们将开发和销售能够进行室温CVD沉积和ALD沉积的OER工艺设备。

2019年| Meidensha