USHIO INC。首次接受EUV光源，用于EUV光刻批量生产工艺的掩模检测

TNO的曝光和分析设施“EBL2”配备USHIO EUV光源（来源：USHIO网站）

USHIO INC。首次接受EUV光源，用于EUV光刻批量生产工艺的掩模检测

通过研发设备的高度认可，加速EUV业务

USHIO INC。（总公司：东京，首席执行官：Koji Naito）

宣布该公司于2019年7月首次接受EUV光刻批量生产工艺（以下简称“EUV光源”）中使用的掩模检测设备* 1的EUV光源。

EUV光刻技术

对于更高度集成的下一代半导体器件的制造工艺来说，这是必不可少的，主要器件制造商正在验证该技术的实际应用。

同时，必须实施用EUV光源进行掩模检测以检测高精度掩模中的缺陷，以便建立EUV光刻大规模生产技术。

USHIO

一直在进行高亮度EUV光源的研究和开发

通过使用USHIO的高亮度激光辅助放电产生等离子体（Sn LDP）EUP光源提供研究和评估服务，提高了性能和可靠性* 2

自2017年3月起，荷兰应用科学研究组织（“TNO”）的EUV暴露和分析设施（“EBL2”）。

除了TNO的活动，

这种接受是由先前交付的EUV源的高性能成就所做出的，目前用于检查设备制造商的检查工具开发。

这种高亮度EUV光源可实现EUV光刻的“光化”掩模检测，这是下一代半导体批量生产过程所需的。

我们提供全系列的照明边缘解决方案。特别是，EUV光源是我们的核心竞争力之一。

EUV光刻的实际应用是期待已久的必要条件之一，以提供新一代技术的实际成果，例如新的通信协议和使用通信技术的各种应用。

作为一家轻型专业公司，我们很高兴通过接受EUV光源为大规模生产过程的检测设备，实现预期的社会基础设施。