大阪大：超低熱抵抗のＳｉＣパワーモジュール：銀焼結接合技術（動画）：
Osaka Univ:Ultra-low thermalresist SiC power module:Silver sintered join:
大阪大学：超低热阻碳化硅功率模块：银烧结接合技术
大阪大学Ｆ３Ｄ実装協働研究所
ヤマト科学独自開発した銀焼結接合技術により、超低熱抵抗のＳｉＣパワーモジュールを開発した。
- 接合部の温度が、
- 従来のハンダ接合の２７０度Ｃから
- １８０度Ｃに低下した。
自動車やＩｏＴデバイスなど、高耐熱性と高信頼性が必要な分野での応用が期待される。
銀焼結接合技術：
- ＳｉＣと絶縁基板、
- アルミニウムのヒートシンクを、
- 低温低圧の銀焼結で直接接合した。
従来の問題点：
従来、ハンダ接合で必要だったアルミニウム表面のニッケルなどの薄膜が不要になった。
今回の解決策：
熱抵抗が約半分になり放熱を阻害せず、製造コストも低減した。
ヒートシンクなど加圧する接合が使えない複雑形状でも大面積接合ができる。
高出力密度と小型・軽量化がしやすい。
ＳｉＣ半導体の特性：
ＳｉＣ半導体は、２５０度Ｃ以上の高温でも動作できる。
- エネルギー損失も小さく、
- 自動車や鉄道など、
- 産業用のロボットで需要がある。
従来、放熱性が問題：
これまで、「ハンダやグリスを使った接合」は、「熱抵抗が生じるのが課題」だった。
今回、放熱性を向上：
放熱性が向上すれば、ＣＯ２排出削減に繋がり、国連のＳＤＧｓに貢献する。
ポスト第５世代通信（６Ｇ）通信や、航空宇宙産業でも活用が期待される。
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