High-power laser:極微細穴あけ加工実現！
Krachtige laser:ultrafijn boren!
Laser puissance:perçage ultra-fin!
Achieves ultra-fine drilling!
大功率激光：實現超細鑽孔！
ー１秒間にμ細孔を数千穴開けるー
ー次世代半導体向け高出力レーザー技術ー
東京大学
味の素ファインテクノ、
三菱電機
スペクトロニクス４法人共同で、「次世代半導体向けの高出力レーザー技術」を開発した。
- 「半導体部材のビルドアップフィルム」に、
- 「直径６μmの極細孔を１秒で数千穴」を開ける。
従来は４０μmだったが、今回６分の１以下になった。
次世代半導体
パッケージ基板「次世代半導体パッケージ基板」に提供する。
高出力レーザー加工：
銅薄膜上に、
厚さ５μmのビルドアップフィルムを配置し、高出力レーザー加工で穴を開ける。
- 「スペクトロニクスの深紫外短パルスレーザー」と、
- 「三菱電機のレーザー加工機」を使い、
- 「東大の加工プロセス」で条件を最適化した。
穴径は６μm以下で、品質を表すテーパー度は７５％以上だ。
「次世代半導体製造の基本要件」を全て達成。
チップレットで利用：
「微細穴に銅メッキ」し、微細配線とする。
「半導体チップ混載のチップレット」に利用する。
味の素
ビルドアップフィルム味の素のビルドアップフィルムは、「世界市場シェアが１００％近い」
東大が運営するコンソーシアムで、新技術の普及を図る。
ニュースイッチ
次世代半導体製造向け：極微細穴あけ加工を実現
―協働拠点で先端半導体をけん引ー
物性研究所
次世代の半導体製造に資する10 μm以下を満たす、6 μm以下の穴あけを高品質かつ高生産性を維持し実現できることを実証
東京大学
産学官協創の拠点として、各法人が強みを持つ半導体に関連する最新の基盤技術を集結し開発
半導体パッケージ基板
微細化や高品位化を目指すことで、次世代半導体産業における日本の競争力強化に貢献
https://www.issp.u-tokyo.ac.jp/maincontents/news2.html?pid=16823
https://www.issp.u-tokyo.ac.jp/news/wp-content/uploads/2022/10/press-1024_tacmi.pdf
https://www.spectronix.co.jp/wp-content/uploads/2021/06/0622-a-1.pdf
Krachtige laser: bereikt ultrafijn boren!
– Duizenden microporiën per seconde –
– Krachtige lasertechnologie voor de volgende generatie halfgeleiders –
Universiteit van Tokio
Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.
Mitsubishi Electric
Spectronica
De vier bedrijven hebben gezamenlijk “high-power lasertechnologie voor de volgende generatie halfgeleiders” ontwikkeld.
In “opbouwfilm voor halfgeleideronderdelen”,
Creëert “duizenden microporiën met een diameter van 6 m in één seconde”.
Conventioneel was het 40 m, maar deze keer is het minder dan 1/6.
volgende generatie halfgeleider
pakket substraat
Voorzien voor “next-generation halfgeleiderpakketsubstraten”.
Laserverwerking met hoog vermogen:
op de koperen dunne film,
Een opbouwfilm met een dikte van 5 m wordt geplaatst en een gat wordt gemaakt door middel van krachtige laserbewerking.
“Spectronics diep ultraviolet korte puls laser”
Met behulp van “Mitsubishi Electric’s laserverwerkingsmachine”,
De omstandigheden werden geoptimaliseerd met het “Machining Process of the University of Tokyo”.
De gatdiameter is 6 m of minder, en de tapsheidsgraad, die kwaliteit aangeeft, is 75% of meer.
Alle “basisvereisten voor de fabricage van halfgeleiders van de volgende generatie” zijn bereikt.
Verkrijgbaar in Chiplet:
“Koperplateren in fijne gaatjes” om fijne bedrading te creëren.
Het wordt gebruikt voor “chiplets gemengd met halfgeleiderchips”.
Ajinomoto
opbouwfilm
De opbouwfilm van Ajinomoto heeft een wereldwijd marktaandeel van bijna 100%
Een consortium gerund door de Universiteit van Tokyo om de verspreiding van nieuwe technologieën te bevorderen.
nieuwe schakelaar
Voor de fabricage van halfgeleiders van de volgende generatie: ultrafijn boren bereiken
– Het aansturen van geavanceerde halfgeleiders op samenwerkingsverbanden –
Instituut voor Vaste-stoffysica
Aangetoond dat het mogelijk is om te boren van 6 m of minder, wat voldoet aan 10 μm of minder, wat bijdraagt aan de productie van halfgeleiders van de volgende generatie, met behoud van hoge kwaliteit en hoge productiviteit.
Universiteit van Tokio
Als basis voor co-creatie tussen de industrie, de academische wereld en de overheid, verzamelen en ontwikkelen we de nieuwste basistechnologieën met betrekking tot halfgeleiders waarin elk bedrijf sterke punten heeft.
halfgeleider pakket substraat
Bijdragen aan het versterken van het concurrentievermogen van Japan in de halfgeleiderindustrie van de volgende generatie door te streven naar miniaturisatie en hogere kwaliteit
Laser haute puissance : Réalise un perçage ultra-fin !
– Des milliers de micropores par seconde –
– Technologie laser haute puissance pour les semi-conducteurs de nouvelle génération –
Université de Tokyo
Ajinomoto Fine Techno Co., Ltd.
Mitsubishi électrique
Spectronique
Les quatre sociétés ont développé conjointement “une technologie laser haute puissance pour les semi-conducteurs de nouvelle génération”.
Dans “film de construction pour pièces semi-conductrices”,
Crée “des milliers de micropores d’un diamètre de 6 μm en une seconde”.
Classiquement, il était de 40 µm, mais cette fois il est inférieur à 1/6.
semi-conducteur de nouvelle génération
substrat d’emballage
Fourni pour les “substrats de boîtier semi-conducteur de nouvelle génération”.
Traitement laser haute puissance :
sur la couche mince de cuivre,
Un film d’accumulation d’une épaisseur de 5 μm est placé et un trou est réalisé par traitement laser haute puissance.
“Laser à impulsions courtes à ultraviolets profonds Spectronics”
En utilisant “la machine de traitement laser de Mitsubishi Electric”,
Les conditions ont été optimisées avec le “Machining Process of the University of Tokyo”.
Le diamètre du trou est de 6 μm ou moins et le degré de conicité, qui indique la qualité, est de 75 % ou plus.
Toutes les “exigences de base pour la fabrication de semi-conducteurs de nouvelle génération” ont été atteintes.
Disponible en Chiplet :
“Placage de cuivre dans des trous fins” pour créer un câblage fin.
Il est utilisé pour les “chiplets mélangés à des puces semi-conductrices”.
Ajinomoto
film de construction
Le film de construction d’Ajinomoto détient une part de marché mondiale de près de 100 %
Un consortium dirigé par l’Université de Tokyo pour promouvoir la diffusion des nouvelles technologies.
nouvel interrupteur
Pour la fabrication de semi-conducteurs de nouvelle génération : réaliser des perçages ultra-fins
– Piloter des semi-conducteurs de pointe sur des bases collaboratives –
Institut de physique du solide
Démontré qu’il est possible d’obtenir un perçage de 6 μm ou moins, ce qui satisfait 10 μm ou moins contribuant à la fabrication de semi-conducteurs de nouvelle génération, tout en maintenant une haute qualité et une productivité élevée.
Université de Tokyo
En tant que base de co-création industrie-université-gouvernement, nous rassemblons et développons les dernières technologies de base liées aux semi-conducteurs dans lesquelles chaque entreprise a des atouts.
substrat de boîtier semi-conducteur
Contribuer à renforcer la compétitivité du Japon dans l’industrie des semi-conducteurs de nouvelle génération en visant la miniaturisation et une meilleure qualité