三菱ケミカル：4インチGaN結晶の製造技術：「SCAAT-LP」（動画）：
Mitsubishi Chemical: 4-inch GaN crystal technology: SCAAT-LP：
三菱化学：4英寸GaN晶体制造技术：“SCAAT-LP”
ー世界最大級のGaN基板製造実証設備ー
日本製鋼所
三菱ケミカルパワーエレクトロニクス用に、
大口径バルク窒化ガリウム（GaN）基板の実証開発に取り組んでいる。
4インチGaN結晶の製造：
2021年5月に竣工した世界最大級のGaN基板製造実証設備を使用。
「SCAAT-LP」を開発：
高品質なGaN基板の低コスト製造技術「SCAAT-LP」を開発した。
4インチGaN結晶試験：
4インチGaN基板の量産に向けた結晶成長試験を進めている。
このたび4インチGaN結晶が計画通りに結晶成長していることを確認した。
2022年度に市場供給：
今後、日本製鋼所と三菱ケミカルは大型実証設備での結晶成長試験を継続。
より高い生産性を可能とし、2022年度初頭からの市場供給を開始する予定。
Motor-FanTECH.[モーターファンテック]
https://motor-fan.jp/tech/article/7946/
NEDO：世界最大級のGaN基板を製造
ー実証設備で4インチGaN結晶の成長を確認ー
NEDO：
【1】大型実証設備の順調な稼働
日本製鋼所
三菱ケミカル大型実証設備を2021年5月から稼働した。
複数回の結晶成長試験を行った結果、
また事前に各工程において、安全性・生産性に大きな問題がないことを確認しました。
【2】4インチGaN基板上の結晶成長を確認
大型実証設備を用いて結晶成長試験を実施中。
すでに4インチ結晶の成長が可能であることを確認しました。
長時間のオートクレーブ運転において、結晶成長域全体の成長が確認できました。
「SCAATTTM-LP」：
開発した結晶成長技術「SCAATTTM-LP」が大型実証設備においても再現できています。