産総研：電圧書込み方式磁気メモリーの書込みエラー率を飛躍的に低減 − 「産総研」スピントロニクス研究センター・電圧スピントロニクスチーム 塩田 陽一 元研究員（現：国立大学法人 京都大学 大学院理学研究科 助教）、野崎 隆行 研究チーム長は、電圧書込み方式の磁気メモリー（電圧トルクMRAM）の書込みエラー率を飛躍的に低減させる技術を開発した。 今回の成果により、高信頼性と高速性を持つ超低消費電力電圧トルクMRAMの研究開発の加速が期待される。 この成果の詳細は、2017年7月13日(米国現地時間)にApplied Physics Lettersにオンライン掲載される。
AIST: Significant reduction in writing error rate of voltage writing type magnetic memory – “AIST” spintronics research center · Voltage spintronics team Yoichi Shiota (current university corporation assistant professor, Graduate School of Science, Kyoto University), Takayuki Nozaki The research team chief has developed a technology that dramatically reduces the write error rate of the voltage writing type magnetic memory (voltage torque MRAM). Based on this result, it is expected to accelerate research and development of ultra low power voltage torque MRAM with high reliability and high speed. Details of this outcome will be posted online at Applied Physics Letters on July 13, 2017 (local time in the US).
http://www.aist.go.jp/aist_j/press_release/pr2017/pr20170712/pr20170712.html