東北大：GaNウェハ検査技術確立：発光効率計測（全方位フォトルミネセンス法）：
Tohoku Univ:GaN wafer inspection: luminous efficiency omnidirectional photoluminescence：
东北大学：GaN晶圆检测技术的建立：发光效率测量方法（全向光致发光法）
【発表の概要】
- 量産向け大型GaNウェハの高速・高感度検査技術を確立
- 発光効率*1の絶対計測*2に基づく、欠陥分布の非破壊・非接触評価手法
- 半導体デバイスの開発・製造に適用（パワートランジスタ､発光ダイオード､半導体レーザ、太陽電池）
【概要】
東北大学多元物質科学研究所：
浜松ホトニクス：
分光技術*3に基づく新たな半導体ウェハの検査技術を開発しました。
半導体デバイスは、ウェハと呼ばれる結晶基板上で作られます。
デバイスの性能はウェハの構成材料となる結晶の品質に左右されると言っても過言ではありません。
窒化ガリウム（GaN）：
高性能な電子デバイスや光デバイスの製造に適する材料の一つとして注目されています。
高品質GaNウェハ：開発競争が激化
半導体デバイスの普及には、大型ウェハを用いた量産化が必要です。
GaNの場合、直径6インチ（約152 mm）以上の円形状ウェハが望まれています。
大型GaNウェハの品質管理には、”ウェハ全面を高速かつ高感度にて検査できる評価手法”が必須。
小島准教授：
半導体結晶の高精度な発光効率計測法（全方位フォトルミネセンス法）を、応用しています。
積分球*5を核とする分光技術を駆使し、半導体ウェハの高速・高感度検査手法を確立しました。
本研究は、従来手法にて制限があったウェハサイズの問題を解決し、検査時間を大幅に短縮します。
プレスリリース | 東北大学 -TOHOKU UNIVERSITY-
https://www.tohoku.ac.jp/japanese/2019/05/press20190524-01-gal.html