东北大学：GaN晶圆检测技术的建立：发光效率测量方法（全向光致发光法）
[介绍摘要]
为大规模生产用于大规模GaN晶圆的高速，高灵敏度检测技术
基于绝对测量的无损和非接触式缺陷分布评估方法* 2发光效率* 1
应用于半导体器件（功率晶体管，发光二极管，半导体激光器，太阳能电池）的开发和制造
[概述]
东北大学材料科学研究所：
Hamamatsu Photonics：
我们开发了一种基于光谱技术的新型半导体晶圆检测技术* 3。
半导体器件制造在称为晶片的晶体衬底上。
可以毫不夸张地说，器件的性能取决于构成晶片的晶体的质量。
氮化镓（GaN）：
作为用于制造高性能电子器件和光学器件的合适材料之一，它正引起人们的注意。
高品质GaN晶圆：加强发展竞争
半导体器件的广泛使用需要使用大晶片进行大规模生产。
在GaN的情况下，需要直径为6英寸（约152mm）或更大的圆形晶片。
为了控制大型GaN晶片的质量，必须具有能够以高速和高灵敏度检查晶片的整个表面的评估方法。
小岛副教授：
我们应用半导体晶体的发光效率（全向光致发光方法）的高精度测量方法。
我们通过充分利用基于积分球* 5的光谱技术，建立了半导体晶圆的高速，高灵敏度检测方法。
该研究解决了传统方法限制的晶片尺寸问题，大大缩短了检测时间。
新闻稿|东北大学-TOHOKU UNIVERSITY-
https://www.tohoku.ac.jp/japanese/2019/05/press20190524-01-gal.html