东北大学：GaN，检测痕量碳杂质：全向光致发光（ODPL）方法

东北大学：GaN，检测痕量碳杂质：全向光致发光（ODPL）方法

东北大学：苏制株式会社

[公告要点]

建立氮化镓晶体中碳杂质的无损非接触检测方法
即使杂质浓度很小（小于1亿分之一），也可以进行检测
有助于高压晶体管和发光二极管
[总览]

东北大学先进材料多学科研究所与Psyox Corporation合作，通过全向光致发光（ODPL）方法* 1成功检测出氮化镓晶体中的痕量碳杂质。

半导体器件材料：GaN

取决于应用，使用各种材料来制造半导体器件。

氮化镓（GaN）作为适用于高性能电子和光学设备的材料之一，引起了人们的关注。

半导体器件性能：劣化因素

决定基于GaN的高压晶体管和大功率LED性能的因素之一是碳杂质。

由于即使痕量的碳也会降低器件性能，因此必须以高灵敏度对其进行检测。

然而，半导体中的杂质测量技术通常具有局限性，例如破坏性检查或需要在样品上形成电极。

全向光致发光法：杂质检测

Kojima等人的副教授应用半导体晶体的高精度发光效率* 3测量技术（全向光致发光法）。

建立了“对GaN中碳杂质的高灵敏度，非破坏性和非接触性检测方法”。

我们已经证明，即使使用超高纯度GaN晶体（浓度小于1200万），也可以定量和无损地测量碳浓度。

研究结果于12月4日在线发表在《应用物理快报》杂志上，该杂志是《日本物理科学学会》与日本物理学会之间的合作内部组织《物理科学杂志》（PCPAP）的科学期刊。

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