东北大学：开发新的磁隧道结（MTJ）：车辆规格·150°C环境清晰

东北大学：开发新的磁隧道结（MTJ）：车辆规格·150°C环境清晰

东北大学：国际综合电子研究开发中心（CIES）

开发新的MTJ技术：磁隧道结（MTJ）

目前的MTJ技术：一般电子设备规格仅高达85°C，可以获得足够的数据保留时间。因此，在一般消费设备中的应用受到限制（汽车规格：要求在150°C环境下的耐久性）
这种MTJ技术：这是在汽车和社会基础设施的恶劣环境中部署的基本技术。传统上，期望“在更高的操作温度下确保数据保持时间的MTJ技术”。
具体而言，我们通过应用“四重接口堆叠技术（数据保留时间延长）来增加界面磁各向异性”开发了一种新的MTJ技术。
我们已成功开发出“可靠的1X纳米MTJ”，即使在150°C环境下也能将数据保留时间延长1,000,000倍。
磁性随机存取存储器（STT-MRAM）：低功耗电子产品

磁性随机存取存储器（STT-MRAM：使用磁铁的性质，非易失性存储器）是实现低功耗电子器件的基本技术。

到目前为止，学术和工业团体一直在推动研究和开发，从去年开始，一家拥有megafab的大型铸造公司开始大规模生产。

目前的MTJ技术：与125°C工作温度下的数据保持时间相比

这种MTJ技术：在耐150°C的环境中（汽车和社会基础设施必需），

数据保留时间可延长一百万次。

https://www.tohoku.ac.jp/japanese/2019/06/press20190612-02-CIES.html