昭和電工：最新SiCエピウェハーを開発：第2世代高品質パワー半導体用：
Showa Denko :the latest SiC epi-wafer: For the 2nd gen power semiconductor：
昭和电工开发出最新的SiC外延晶圆：用于第二代高品质功率半导体
2019年8月1日
昭和電工：パワー半導体
8月１日､昭和電工は、パワー半導体向けに、低欠陥グレードの炭化ケイ素（ＳｉＣ）エピタキシャルウエハー「ハイグレードエピ」に第２世代品を開発したと発表した。
－ 電気自動車・電鉄車両向けSiCインバーター普及を加速 －
SiCパワー半導体の材料：エピウェハー（エピタキシャルウェハー）6インチ（150mm）品
現在量産中の低欠陥グレード「HGE（ハイグレードエピ）」を、高品質化した第2世代製品（HGE-2G）を開発しました。
SiCパワー半導体：
SiCパワー半導体は、現在主流のシリコン製に比べ耐高温・高電圧特性や、大電流特性に優れています。
電力損失も大幅に削減できることから、電力制御に用いるモジュールの軽量・小型化と高効率化を実現する製品として市場が拡大しています。
- データセンター：サーバー電源、
- 太陽光発電：分散型電源、
- EV：充電器及び高速充電スタンド、
- 鉄道車両への採用が進んでいます。
2020年代前半には、EVのパワーコントロールユニット（PCU）への本格搭載が見込まれています。
ニュースリリース | 昭和電工株式会社