昭和电工开发出最新的SiC外延晶圆：用于第二代高品质功率半导体
2019年8月1日
昭和电工：功率半导体
8月1日，昭和电工宣布开发出用于功率半导体的第二代低缺陷级碳化硅（SiC）外延片“高级Epi”。
– 加速电动汽车和铁路车辆的SiC逆变器的普及 –
SiC功率半导体的材料：Epi晶片（外延晶片）6英寸（150mm）产品
我们已经开发出高质量的第二代产品（HGE-2G），这些产品是目前大规模生产的高质量低缺陷级“HGE（高级Epi）”。
SiC功率半导体：
与目前主流的硅产品相比，SiC功率半导体具有优异的耐高温性和高电压特性以及大电流特性。
由于功率损耗也可以显着降低，市场正在扩大作为实现用于功率控制的轻质，紧凑和高效模块的产品。
数据中心：服务器电源，
太阳能：分布式电源，
EV：充电器和高速充电站，
铁路车辆的采用正在进行中。
在20世纪20年代早期，预计将在电动汽车中全面安装功率控制单元（PCU）。
新闻稿|昭和电工株式会社