三菱電機：SiC､GaNスライス生産性60％向上：次世代半導体ウエハースライス（動画）：
Mitsubishi Electric:60% improvement in SiC､GaN Wafer slicing:for next-gen semiconductors：
三菱电机：SiC和GaN切片生产率提高60％：下一代半导体的晶圆切片
三菱電機：マルチワイヤ放電加工機
三菱電機は、新型マルチ放電スライス技術「D-SLICE」を､従来より開発中。
2019年11月1日、マルチワイヤ放電スライス加工機「DS1000」を発売すると発表しました。
次世代半導体材料：ウエハースライス
SiC（炭化ケイ素）やGaN（窒化ガリウム）など次世代半導体材料のウエハースライス工程での活用を提案します。
「D-SLICE」：新型マルチ放電スライス技術
- ワイヤ放電加工技術とマルチワイヤ制御技術を組み合わせました。
- 放電加工によりマルチワイヤソーのようなスライシングを可能としたもの。
- マルチワイヤによる放電加工でスライシングしウエハーを切り出していく。
SiCやGaNなどの難削材の加工を容易に行えます。
放電加工の特徴である非接触加工により加工溝幅を最小化することが可能。
また､砥粒も不要になるためランニングコストも低減可能。
MONOist
https://monoist.atmarkit.co.jp/mn/spv/1909/13/news044.html
http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2019/0912.html?cid=rss