SiC-MOSFETの構造断面図 出典：三菱電機
三菱電機：SiC-MOSFET・回路シミュレーション：新SPICEモデル（動画）：
Mitsubishi Electric: SiC-MOSFET/Circuit Simulation: New SPICE model：
SiC-MOSFET结构的剖面图来源：三菱电机
三菱電機：
7月9日、独自のSPICE（Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis）モデルを、開発しました。
SiCパワー半導体「SiC-MOSFET」のスイッチング速度を、高精度でシミュレーション。
「MOSFET」とは：
“Metal-Oxide-Semiconductor Field-Effect Transistor”（金属酸化膜-半導体電界効果トランジスタ）の略。
トランジスタは、半導体内の自由電子や正孔の動きを利用して電気的増幅を行います。
回路設計作業を効率化：
- 実測値と、ほぼ同等のシミュレーションが可能。
- SiC-MOSFETを搭載したパワーエレクトロニクス機器の回路設計作業を効率化。
従来のSPICEモデル：
従来のSPICEモデルでSiC-MOSFETのシミュレーションを行う場合、「高速スイッチング動作で生じる電流波形を、十分な精度で解析できない」という問題がありました。
新SPICE回路解析ツールで解決：
ディスクリート･パワー半導体を搭載したエレクトロニクス機器の設計時、
- 電力変換回路の素子動作や、
- ゲートドライブ回路内の素子動作を、
- 事前にシミュレーションで予測出来ます。
新SPICE回路解析ツールで、シミュレーションすれば、解決。
MONOist
https://monoist.atmarkit.co.jp/mn/spv/2007/13/news069.html
Mitsubishi Electric Develops Accurate Circuit Simulation Technology for SiC-MOSFETs
TOKYO, July 9, 2020 –
Mitsubishi Electric Corporation (TOKYO: 6503)
announced today that it has developed a highly accurate Simulation Program with Integrated Circuit Emphasis (SPICE) model to analyze the electronic circuitry of discrete power semiconductors.
The technology
is deployed in the company’s “N-series 1200V” SiC-MOSFET* samples of which will begin shipping in July.
The model simulates high-speed-switching waveforms almost as well as actual measurements, on a level of accuracy
currently believed to be unmatched in the industry, which is expected to lead to more efficient circuit designs for power converters.
Going forward, Mitsubishi Electric
expects to add several temperature-dependent parameters to enable its SPICE model to work at high temperature.
The company presented the new model** on July 8 at the International Conference on Power Conversion and Intelligent Motion (PCIM Europe 2020), which was held online on July 7 and 8.
Key Features
Unique SPICE model enables efficien circuit design for power converters
The new model
enables high-precision simulation of the drain current flowing through the power conversion circuit over the entire rated current range.
Circuit designers
can spend less time complementing data with experiments, raising work efficiency from the early stages of power converter development.