三菱電機：パワー半導体素子､トレンチ型’SiC-MOSFET’：独自の電界緩和構造（動画）：　 Mitsubishi Electric:Power semiconductor’SiC-MOSFET’:an original electric field relaxation structure：　 三菱电机：功率半导体器件､沟槽型“SiC-MOSFET”的开发：采用原始的电场缓和结构

三菱電機：パワー半導体素子､トレンチ型’SiC-MOSFET’：独自の電界緩和構造（動画）：　
Mitsubishi Electric:Power semiconductor’SiC-MOSFET’:an original electric field relaxation structure：　
三菱电机：功率半导体器件､沟槽型“SiC-MOSFET”的开发：采用原始的电场缓和结构

三菱電機：パワー半導体素子

パワー半導体素子として、独自の電界緩和構造を採用。

新たに､トレンチ型※2SiC※3 -MOSFET※4を開発しました。

1500V以上の耐圧性能と､｢世界最高レベル※1の素子抵抗率1cm2あたり1.84mΩ（ミリオーム）｣を両立させました。

本パワー半導体素子をパワー半導体モジュールに搭載すｒてば、パワーエレクトロニクス機器を｢更に省エネ化や小型化｣出来ます。

本開発成果の詳細：

「ICSCRM※5 2019（9月29日~10月4日、於：国立京都国際会館）」で本日（9月30日）発表します。

※2

電圧をかけ電流の流れを制御する「ゲート電極」を半導体基板に溝（トレンチ）の形で埋め込んだ構造

※3

Silicon Carbide：炭化ケイ素

※4

Metal Oxide Semiconductor Field Effect Transistor：金属酸化膜半導体電界効果トランジスタ

※5

International Conference on Silicon Carbide and Related Materials

http://www.mitsubishielectric.co.jp/news/2019/0930.html?cid=rss