三菱电机：功率半导体器件，沟槽型" SiC-MOSFET"的开发：采用原始的电场缓和结构

三菱电机：功率半导体器件，沟槽型“ SiC-MOSFET”的开发：采用原始的电场缓和结构

三菱电机：功率半导体元件

采用独特的电场缓和结构作为功率半导体元件。

我们新开发了沟槽型* 2SiC * 3-MOSFET * 4。

达到1500V或更高的耐压性能以及世界最高水平*每1cm21.84mΩ（毫欧）的1元件电阻率。

如果将该功率半导体元件安装在功率半导体模块上，则功率电子设备可以进一步“节能和小型化”。

开发结果的详细信息：

将于今天（9月30日）在ICSCRM * 5 2019（9月29日至10月4日，在京都国际会议中心）宣布。

* 2

施加电压以控制电流流动的“栅电极”以沟槽的形式嵌入半导体衬底中的结构

* 3

碳化硅：碳化硅

* 4

金属氧化物半导体场效应晶体管

* 5