富士通：従来比3倍・GaN HEMTを開発ーレーダーの観測範囲が2.3倍： Fujitsu Successfully Triples the Output Power of Gallium-Nitride Transistors： 富士通成功地将镓氮化物晶体管的输出功率提高了三倍 2018年08月10日By Tokio X'press Semi conductor, Diode GaN
