💡東工大、電子移動度の高いn型半導体共重合体の開発に成功

By Semi conductor, Diode

💡東工大、電子移動度の高いn型半導体共重合体の開発に成功

東工大、電子移動度の高いn型半導体共重合体の開発に成功しました。

薄膜トランジスタ特性とその有効性を調べ、非常に有望な結果を得ています。

東京テクニカルニュース| 東京工業大学

https://www.titech.ac.jp/english/news/2018/040629.html

More from tokioX :

  1. 京大：SiC-MOSFETの電子移動度を倍増：20年ぶりに大幅向上（動画）：　 Kyoto Univ: Doubled electron mobility of SiC-MOSFET：　 京都大学：SiC-MOSFET的电子迁移率翻倍：20年来首次显着提高
  2. 三菱電機：SiC-MOSFET・回路シミュレーション：新SPICEモデル（動画）：　 Mitsubishi Electric: SiC-MOSFET/Circuit Simulation: New SPICE model：　 SiC-MOSFET结构的剖面图来源：三菱电机
  3. ローム：1200V/第4世代SiC MOSFETを開発：車載パワートレインシステム（動画）：　 ROHM: 1200V/4th generation SiC MOSFET developed: Automotive powertrain system：　 ROHM：开发1200V / 4th SiC MOSFET：汽车动力总成系统
  4. 富士通：GaN HEMT､冷却装置簡素化・小型化：レーダーシステムの小型化（動画）：　 Fujitsu:GaN HEMT､simplification of cooling system:downsizing of radar system：　 富士通：GaN HEMT，冷却系统的简化和小型化：雷达系统的小型化
  5. 東京大学：有機半導体シート型スキャナー作製：機械部品が一切不要：　 Tokyo Univ:Organic semiconductor sheet scanner:No mechanical parts are required：　 东京大学：有机半导体薄片型扫描仪生产：无需机械零件
  6. 村田製作所:世界最小フェライトビーズ・ノイズフィルタ – 5G・IoT：　 Murata Manufacturing: World’s Smallest Ferrite Beads / Noise Filter – 5G Comm · IoT：　 村田制作所：世界上最小的铁氧体磁珠/噪声滤波器–5G通信·物联网设备
  7. 💡三菱電機 ニュースリリース 6.5kV耐圧フルSiCパワー半導体モジュールを開発