💡具有记录设置电子迁移率的新型半导体聚合物用于未来的器件 02/23/18 FridayBy Tokio X'press Semi conductor, Diode 💡具有记录设置电子迁移率的新型半导体聚合物用于未来的器件。 东京理工学院的科学家已成功开发出具有高电子迁移率的n型半导体共聚物。 他们研究了薄膜晶体管的特性和有效性,获得了非常有希望的结果。 东京技术新闻| 东京工业大学 https://www.titech.ac.jp/english/news/2018/040629.html More from tokioX : 京都大学:SiC-MOSFET的电子迁移率翻倍:20年来首次显着提高 SiC-MOSFET结构的剖面图来源:三菱电机 ROHM:开发1200V / 4th SiC MOSFET:汽车动力总成系统 富士通:GaN HEMT,冷却系统的简化和小型化:雷达系统的小型化 东京大学:有机半导体薄片型扫描仪生产:无需机械零件 村田制作所:世界上最小的铁氧体磁珠/噪声滤波器–5 G通信·物联网设备 💡三菱电机新推出的6.5千伏全SiC功率半导体模块实现了世界上最高的功率密度 Post navigation 📉日本股票第六周的外国网卖家💊使用包括抗癌药物FF-10832在内的专有技术生产脂质体药物将在富士化学公司富山化学公司新建生产设施