デンソー：SiCパワー半導体を量産開始：新型FCV・ミライに搭載（動画）：
Denso: Production of SiC power semiconductors: Installed in new Mirai：
DENSO：开始批量生产SiC功率半导体：安装在新型FCV / Mirai上
デンソー：
12月10日、高品質なSiCパワー半導体を商用化。
「次期型昇圧用パワーモジュールの量産開始」を、発表した。
半導体材料SiC：
SiCは、従来のSi（シリコン）よりも、高温、高周波、高電圧環境での性能がすぐれている。
- システムの電力損失を低減、
- 小型化、軽量化に大きく貢献し、
- 電動化を加速させる、
キーデバイス材料として注目されてきた。
SiC技術「REVOSIC」の開発：
デンソーは、これまで、SiCパワー半導S技術「REVOSIC（レボシック）」の研究開発に取り組んできた。。
先ず、TOYOTA SORAが採用：
2014年、先ず、SiCトランジスタが、オーディオ向けに実用化された。
2018年、次に、車載用SiCがTOYOTA SORAに採用された。
2020年、更に、新開発の車載用SiCトランジスタをりりース。
- 新開発のSiCトランジスタと、
- SiCダイオードの双方が、
新型FCV・ミライに搭載される。
新開発のSiCトランジスタ：
新開発のSiCトランジスタは、トレンチゲート型を採用。
デンソー独自の構造により、厳しい車載環境下で求められる高信頼性と高性能を両立。
次期型昇圧用パワーモジュール：
「このダイオード、トランジスタ搭載の次期型昇圧用パワーモジュール」を、「従来のSiパワー半導体搭載製品」を比較した。
- 体積を約30%削減、
- 電力損失は約70%低減、
- 昇圧用パワーモジュールの小型化と
- 車両燃費の向上に寄与する。
新型「ミライ」に採用：
この次期型昇圧用パワーモジュールは、
2020年12月9日販売の、トヨタ自動車のFCV新型「ミライ」に、採用されている。Car Watch
https://car.watch.impress.co.jp/docs/news/1294366.html
DENSO Produces Silicon Carbide Power Semiconductors for Fuel Cell Vehicles
Now, DENSO
has developed a new in-vehicle SiC transistor, and this marks the first time DENSO has used SiC for in-vehicle diodes and transistors.
The newly developed SiC transistor
offers both high reliability and high performance in in-vehicle environments, which can challenge semiconductors,
thanks to DENSO’s unique structure and processing technique, which apply trench gate MOSFET.
The new model of booster power module equipped with the SiC power semiconductors (diodes and transistors)
is about 30% smaller in volume and provides roughly 70% less power loss
compared to a conventional product equipped with Si power semiconductors, helping to reduce the size of the booster power module and improve vehicle fuel efficiency.
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http://www.denso.com/global/en/news/newsroom/2020/20201210-g01/