DENSO：开始批量生产SiC功率半导体：安装在新型FCV / Mirai上
电装：
12月10日，高质量SiC功率半导体商业化。
宣布“开始批量生产下一代升压电源模块”。
半导体材料SiC：
SiC在高温，高频和高压环境中的性能要优于传统的Si（硅）。
减少系统功耗
极大地有助于小型化和减轻重量
加快电气化，
作为关键设备材料，它已经引起了人们的注意。 </ s> </ s> </ s>
碳化硅技术“ REVOSIC”的发展：
DENSO一直从事SiC功率半导体S技术“ REVOSIC”的研发。 ..
丰田SORA首次采用：
2014年，SiC晶体管首次投入音频应用。
2018年，车载SiC被采用于TOYOTA SORA。
2020年，我们还将发布新开发的汽车SiC晶体管。
借助新开发的SiC晶体管
两个SiC二极管
它将安装在新的FCV Mirai中。
最新开发的SiC晶体管：
新开发的SiC晶体管使用沟槽栅型。
DENSO独特的结构可实现恶劣的车载环境所需的高可靠性和高性能。 </ s> </ s> </ s>
下一代升压电源模块：
将“配备有该二极管和晶体管的下一代升压功率模块”与“配备传统Si功率半导体的产品”进行了比较。
音量降低了约30％，
功率损耗降低了约70％，
随着功率模块的小型化而提升
有助于提高车辆燃油效率。 </ s> </ s> </ s>
通过了新的“ Mirai”：
下一代升压电源模块
2020年12月9日销售的丰田汽车的新型FCV“ Mirai”中使用了该发动机。
汽车手表
https://car.watch.impress.co.jp/docs/news/1294366.html
DENSO Produces Silicon Carbide Power Semiconductors for Fuel Cell Vehicles
Now, DENSO
has developed a new in-vehicle SiC transistor, and this marks the first time DENSO has used SiC for in-vehicle diodes and transistors.
The newly developed SiC transistor
offers both high reliability and high performance in in-vehicle environments, which can challenge semiconductors,
thanks to DENSO’s unique structure and processing technique, which apply trench gate MOSFET.
The new model of booster power module equipped with the SiC power semiconductors (diodes and transistors)
is about 30% smaller in volume and provides roughly 70% less power loss
compared to a conventional product equipped with Si power semiconductors, helping to reduce the size of the booster power module and improve vehicle fuel efficiency.
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