💡具有记录设置电子迁移率的新型半导体聚合物用于未来的器件

By Semi conductor, Diode

💡具有记录设置电子迁移率的新型半导体聚合物用于未来的器件。

东京理工学院的科学家已成功开发出具有高电子迁移率的n型半导体共聚物。

他们研究了薄膜晶体管的特性和有效性，获得了非常有希望的结果。

东京技术新闻| 东京工业大学

https://www.titech.ac.jp/english/news/2018/040629.html

More from tokioX :

  1. 京都大学：SiC-MOSFET的电子迁移率翻倍：20年来首次显着提高
  2. SiC-MOSFET结构的剖面图来源：三菱电机
  3. ROHM：开发1200V / 4th SiC MOSFET：汽车动力总成系统
  4. 富士通：GaN HEMT，冷却系统的简化和小型化：雷达系统的小型化
  5. 东京大学：有机半导体薄片型扫描仪生产：无需机械零件
  6. 村田制作所：世界上最小的铁氧体磁珠/噪声滤波器–5 G通信·物联网设备
  7. 💡三菱电机新推出的6.5千伏全SiC功率半导体模块实现了世界上最高的功率密度