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💡三菱電機、世界で初めてSiCパワー半導体素子の抵抗要因の影響度を解明 2017年12月05日By Tokio X'press Semi conductor, Diode mitsubishi electric
💡産総研:1200ボルトクラスのショットキーバリアダイオード内蔵SiCトランジスタを開発 💡産総研:12 2017年12月05日By Tokio X'press EV, AUTO, Diode 💡産総研:12