理研:高解像度X線イメージング検出器 – 200ナノメートルの構造を解像:  RIKEN: High-Resolution X-Ray Imaging Detector-Resolving 200-nm Structures:  RIKEN:高分辨率X射线成像探测器 – 分辨200纳米结构

理研:高解像度X線イメージング検出器 – 200ナノメートルの構造を解像: 
RIKEN: High-Resolution X-Ray Imaging Detector-Resolving 200-nm Structures: 
RIKEN:高分辨率X射线成像探测器 – 分辨200纳米结构

高輝度光科学研究センター(JASRI)

理化学研究所 放射光科学研究センター(SPring-8)

神島化学工業

200ナノメートル(nm,nmは10億分の1メートル)の構造を解像できる高解像度X線イメージング検出器の開発に成功しました。

このX線イメージング検出器は世界最高の解像力を有し、これまでにない精細なX線画像を得ることができます。

SPring-8のホームページ:

200ナノメートルの構造・解像できる高解像度X線イメージング検出器の開発

-電子デバイスの非破壊検査の実現- SPring-8 Web Site

X線イメージング検出器:

世界最高の解像力を有し、これまでにない精細なX線画像を得ることができます。

X線画像を高解像度で取得したい場合、

薄膜シンチレーター[1]でX線を可視光に変換したのち、レンズで拡大、撮像する方法が用いられます.

しかし、これまでは、500ナノメートルの構造・解像が限界とされてきました。

研究グループ:

X線が可視光へ変換された後の結像過程に注目し、解像度の飛躍的な向上を目指しました。

特に、接合層の無い透明な5マイクロメートル(µm, µmは100万分の1メートル)厚の薄膜シンチレーターを開発し、光学特性を大きく向上させました。

その結果、X線撮像の理論限界に近い200ナノメートルの解像力を実現しました。

また、この性能を用いて、超大規模集積回路(VLSI)デバイス内部の300ナノメートル幅配線の撮像に成功しました。

VLSIの内部微細配線を”非破壊かつ実用レベルの画質で、可視化した”のは、世界で初めてです。

今回の結果:

今回開発したX線画像検出器により、簡単に解像度の高い透視像を得ることができます。

SPring-8[2]大型放射光施設の他に、小型X線源を用いた、電子デバイスの非破壊検査分野で、実用化が期待されます。

本研究は、米国の科学雑誌『Optics Letters』(3月15日付け)に掲載されました。

また、同雑誌のEditor’s pickに選出されています。

http://www.spring8.or.jp/ja/news_publications/press_release/2019/190315/

http://www.riken.jp/pr/press/2019/20190315_1/