理研・東大：’超伝導不揮発メモリ’を実現 – 一時的電流で“オンオフ”：　 RIKEN / Tokyo Univ: ‘Superconducting Nonvolatile Memory’ realized – ‘ON / OFF’ by temporary current：　 RIKEN和东京大学：“超导非易失性存储器”通过临时电流实现 – “ON / OFF”

理研・東大：’超伝導不揮発メモリ’を実現 – 一時的電流で“オンオフ”：　
RIKEN / Tokyo Univ: ‘Superconducting Nonvolatile Memory’ realized – ‘ON / OFF’ by temporary current：　
RIKEN和东京大学：“超导非易失性存储器”通过临时电流实现 – “ON / OFF”

理研・東大研究チームが、｢極低温環境で、化合物IrTe2（Ir：イリジウム、Te：テルル）にパルス電流を加えることにより超伝導状態を生成すること｣に成功しました。

また、｢生成された超伝導状態を、異なるパルス電流で消去すること｣にも成功しました。

このように従来とは異なる方法で、物質の状態を制御することにより、超伝導-非超伝導状態の書き換えを’情報のビット’とした’超伝導不揮発性メモリ’機能が実証されました。

また、’超伝導不揮発メモリ’を組み合わせて回路を構成すれば、異なるパターンの超伝導回路の書き込みと消去を繰り返し行うことが可能になります。

本研究は、米国のオンライン科学雑誌『Science Advances』（10月5日付け：日本時間10月6日）に掲載されます。

理化学研究所

http://www.riken.jp/pr/press/2018/20181006_1/