RIKEN和东京大学："超导非易失性存储器"通过临时电流实现 – "ON / OFF"

RIKEN和东京大学：“超导非易失性存储器”通过临时电流实现 – “ON / OFF”

RIKEN，日本东京大学的研究小组已经成功地“在极低的温度环境中，该化合物IrTe2（铱铱::，碲碲）通过施加脉冲电流产生超导状态”。

我们还成功地“擦除了产生不同脉冲电流的超导状态”。

因此不同于常规的，通过控制物质的状态下，超导体 – 非超级重写导通状态是“超导非易失性存储器”功能“的信息比特”已被证明。

此外，如果通过组合“超导非易失性存储器”来构造电路，则可以重复地写入和擦除不同图案的超导电路。

该研究将发表在美国在线科学杂志“科学进展”（日期为10月5日：日本时间10月6日）。

理化研究所