東北大：新磁気トンネル接合(MTJ)開発：車載スペック･150℃環境クリア（動画）：
Tohoku Univ:new magnetic tunnel junction (MTJ): Vehicle spec150 ° C clear：
东北大学：开发新的磁隧道结（MTJ）：车辆规格·150°C环境清晰
東北大：国際集積エレクトロニクス研究開発センター(CIES)
新たなMTJ技術を開発：磁気トンネル接合(MTJ)
- 現行のMTJ技術：一般電子機器仕様の85℃までしか、十分なデータ保持時間が得られません。その為、一般民生機器での応用が、限られていました（車載スペック：150℃環境での耐久性必要）
- 今回のMTJ技術：自動車や社会インフラの過酷な環境へ展開するため必須技術です。従来から、”より高い動作温度で、データ保持時間を確保するMTJ技術”が望まれていました。
- 具体的には、”界面磁気異方性を増加する４重界面積層技術（データ保持時間拡大）を適用し、新しいMTJ技術を開発しました。
- 150℃の耐環境下においても、データ保持時間を100万倍に延ばせる”1X nm世代向けの高信頼MTJ”の開発に成功しました。
磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM)：低消費電力エレクトロニクス
磁気ランダムアクセスメモリ(STT-MRAM：磁石の性質を利用･不揮発性メモリ)は、低消費電力エレクトロニクスを実現するための基盤技術です。
これまで学術界・産業界が挙って研究開発を進め、昨年からメガファブを有する大手ファウンドリー企業がその量産を開始しました。
現行のMTJ技術：125℃の動作温度でのデータ保持時間と比較すると、
今回のMTJ技術：150℃の耐環境下（自動車や社会インフラで必要）で、
データ保持時間を100万倍に延ばすことが可能です。
-TOHOKU UNIVERSITY-
https://www.tohoku.ac.jp/japanese/2019/06/press20190612-02-CIES.html