富士通、Wバンド用GaNパワートランスミッター用パワーアンプを用いて世界最高出力密度を達成

By Communication, Soverign

Fujitsu Achieves World’s Highest Output Density with Power Amplifier for W-Band GaN Transmitters. 

 Fujitsu Limited and Fujitsu Laboratories Ltd. (collectively ‘Fujitsu’) today announced the development of a gallium-nitride (GaN) high-electron mobility transistor (HEMT) power amplifier for use in W-band (75-110 GHz) transmissions. Fujitsu Global

富士通、Wバンド用GaNパワートランスミッター用パワーアンプを用いて世界最高出力密度を達成

富士通と富士通研究所（以下、総称して「富士通」）は、Wバンド（75-110 GHz）伝送用の窒化ガリウム（GaN）高電子移動度トランジスタ（HEMT）パワーアンプの開発を発表しました。富士通グローバル

http://www.fujitsu.com/global/about/resources/news/press-releases/2017/0724-01.html

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