NEC：150GHz帯のパワーアンプを開発！
amplificateur de puissance pour la bande 150GHz !
150 -GHz -Band -Leistungsverstärker!
a power amplifier for the 150GHz band!
150GHz 頻段的功率放大器！
ー世界最高出力の無線パワーアンプ（増幅器）を開発ー
ー6G実現に向け実装へー
日本電気株式会社（NEC）：
Beyond5G/6Gの無線通信実現に向け、150GHz帯のパワーアンプ（増幅器）を開発した。
「出力電力は10mWで、150GHz帯で世界最高の出力」だ。
Beyond5G/6G：
現在の5Gよりも遥かに高速な、「100Gbps級の高速大容量通信」が期待されている。
固定無線通信用：
サブテラヘルツ帯ー10GHz以上の周波数帯域を確保できるサブテラヘルツ帯（100～300GHz）ー
固定無線通信用に国際的に割り当てられているD帯（130～174.8GHz）の、
早期実用化が期待されている。
今回の150GHz帯のパワーアンプは、その周波数に対応するもの。
150GHz帯のパワーアンプ：
「量産実績のある0.1-μm ガリウムヒ素（GaAs）」で、
「pHEMT（疑似格子整合 高電子移動度トランジスタ）プロセス」を採用した。
CMOSやシリコンゲルマニウム（SiGe）と比較すると、高耐圧な特性に優れている。
世界最高の出力電力
パワーアンプ量産時、イニシャルコストを抑制できる。
回路設計の工夫により、110～150GHzの特性が優れる。
GaAs /pHEMTで、世界最高の出力電力を有するパワーアンプだ。
NECの計画：
本パワーアンプの導入で、
100GHz超帯での、無線通信装置の高性能化、低コスト化を実現する。
Beyond 5G/6Gの社会実装のため、早期の装置開発を目指すとしている。
https://internet.watch.impress.co.jp/docs/news/1471867.html
NEC : Développement d’un amplificateur de puissance pour la bande 150GHz !
-Développement de l’amplificateur de puissance sans fil le plus puissant au monde-
– Implémentation pour la 6G –
NEC Corporation (NEC):
Nous avons développé un amplificateur de puissance pour la bande 150 GHz afin de réaliser une communication sans fil Beyond5G/6G.
“La puissance de sortie est de 10 mW, la puissance la plus élevée au monde dans la bande des 150 GHz.”
Au-delà de la 5G/6G :
Les attentes sont élevées pour les communications à haut débit et à grande capacité de classe 100 Gbps, qui sont beaucoup plus rapides que la 5G actuelle.
Pour la communication sans fil fixe :
bande sous-térahertz
-Bande subterahertz (100 à 300 GHz) pouvant sécuriser une bande de fréquence de 10 GHz ou plus-
dans la bande D (130-174,8 GHz) attribuée internationalement pour les communications sans fil fixes,
Une commercialisation précoce est attendue.
L’amplificateur de puissance pour la bande 150GHz est cette fois compatible avec cette fréquence.
Amplificateur de puissance bande 150GHz :
Avec “l’arséniure de gallium (GaAs) 0,1 μm, qui a fait ses preuves dans la production de masse”,
Le procédé pHEMT (Pseudomorphic High Electron Mobility Transistor) a été adopté.
Comparé au CMOS et au silicium-germanium (SiGe), il présente d’excellentes caractéristiques de tension de tenue élevée.
La puissance de sortie la plus élevée au monde
Amplificateur
Le coût initial peut être réduit lors de la production de masse.
En raison de l’ingéniosité de la conception du circuit, les caractéristiques de 110 à 150 GHz sont excellentes.
Un amplificateur de puissance GaAs/pHEMT avec la puissance de sortie la plus élevée au monde.
Plans NEC :
En introduisant cet amplificateur de puissance,
Obtenez des équipements de communication sans fil hautes performances et à faible coût dans la bande 100 GHz.
L’entreprise vise à développer des équipements à un stade précoce pour la mise en œuvre sociale de Beyond 5G/6G.
NEC: entwickelte einen 150 -GHz -Band -Leistungsverstärker!
-Entwickelt den weltweit höchsten Ausgangsleistungstromverstärker (Verstärker)
-In der Implementierung zur Realisierung von 6G
NEC Co., Ltd. (NEC):
Ein 150 -GHz -Band -Leistungsverstärker (Verstärker) wurde entwickelt, um über 5G/6G -drahtlose Kommunikation hinaus zu realisieren.
“Die Ausgangsleistung beträgt 10 MW, die weltbeste Ausgabe im 150 -GHz -Band.”
Jenseits 5G/6G:
“100gbit /h -klasse hohe Geschwindigkeit mit großer Capacity -Kommunikation”, was viel schneller als der aktuelle 5G ist, wird erwartet.
Feste drahtlose Kommunikation:
Subtera Hertz Gürtel
-Subtera Hertzgürtel (100-300 GHz), die die Frequenzbandbreite von 10 GHz oder mehr sichern kann – –
Das d -Band (130-174,8 GHz), das international für eine feste drahtlose Kommunikation zugeordnet ist.
Früher praktischer Gebrauch wird erwartet.
Der Leistungsverstärker der 150 -GHz -Bande entspricht seiner Frequenz.
150 -GHz -Band -Leistungsverstärker:
Mit “0,1 & mgr; m Galliumarsen (GaAs)” mit einer Erfolgsbilanz der Massenproduktion
“PHEMT (Pseudo -Gitterkonsistent mit hohem Elektronik -Bewegungstransistor) wurde angewendet.
Im Vergleich zu CMOs und Silicon Germanium (SIGE) weist es hervorragende Eigenschaften auf, die sehr resistent sind.
Die beste Ausgangsleistung der Welt
Leistungsverstärker
Bei der Massenproduktion können anfängliche Kosten unterdrückt werden.
Die Eigenschaften von 110 bis 150 GHz sind ausgezeichnet, indem sie das Schaltungsdesign entwickeln.
Gaas /Phemt ist ein Leistungsverstärker mit der weltbesten Ausgangsleistung.
NEC -Plan:
Mit der Einführung dieses Leistungsverstärkers
Verwirkt die hohe Leistung und niedrigere Kosten für drahtlose Kommunikationsgeräte im 100 -GHz -Superband.
Das Unternehmen zielt darauf ab, frühe Geräte zu entwickeln, die über die soziale Umsetzung von 5G/6G umgesetzt werden.
NEC develops high-speed, high-capacity power amplifier for next generation networks
Tokyo, January 19, 2023
NEC Corporation (NEC; TSE: 6701)
has developed a power amplifier
that will serve as a key device for mobile access and fronthaul/backhaul wireless communication equipment
to enable high-speed, high-capacity communications for 5G Advanced and 6G networks.
This power amplifier uses GaAs technology
that can be mass-produced and has achieved the world’s highest output power (*) of 10 mW in the 150 GHz band. Capitalizing on this,
NEC aims to fast-track both equipment development and social implementation.
5G Advanced and 6G
are expected to deliver
100 Gbps-class high-speed,
high-capacity communications, equivalent to 10 times the speed of current 5G.
This can be effectively achieved
through the use of the sub-terahertz band (100 to 300 GHz), which can provide a wide bandwidth of 10 GHz or more.
In particular,
early commercialization of the D band (130 to 174.8 GHz), which is internationally allocated for fixed wireless communications, is expected.
The newly developed power amplifier
uses a commercially available 0.1-μm gallium arsenide (GaAs) pseudomorphic high electron mobility transistor (pHEMT) process.
Compared to CMOS and silicon germanium (SiGe) used for the sub-terahertz band,
GaAs pHEMTs have high operation voltage and lower initial costs for mass production.
In terms of circuit design,
this power amplifier eliminates factors that degrade performance in the high-frequency band
and uses an impedance matching network configuration suitable for high output power.
This has resulted in the achievement of
excellent high-frequency characteristics between 110 GHz and 150 GHz as well as the world’s highest output power for a GaAs pHEMT.
In addition to the realization of high-performance,
low-cost radio communication equipment above 100 GHz, this power amplifier will accelerate the social implementation of 5G Advanced and 6G.
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