Samsung’s 3nm: 歩留率は20%で最悪！
le taux de rendement est le pire à 20 % !
Ausbeute mit 20% am schlechtesten!
Yield rate is the worst at 20%!
三星3nm：良品率最差20%！
ー3nm顧客はマイニング用ASICのみー
ーSilicon Frontline Technology社と提携ー
サムスン電子：
TSMCに先んじて3nmプロセスでの量産を開始しています。
しかし、「この3nmプロセスの歩留率が20%台という情報」が、
台湾の新聞社で報じられています。
サムスンのGAA：
2022年6月30日、
Gate-All-Around(GAA)アーキテクチャーを採用しました。
TSMCに先駆けて、 3nmプロセスの初期生産を開始。
サムスンの3nmプロセス：
サムスン電子の3nmプロセスは、
QualcommSnapdragon8 Gen 1の4nmに比べ、
「歩留率と効率が大きく向上する」と見られていました。
台湾の新聞社
工商時報サムスンは、
この3nmプロセスについて、「歩留率が20%にしか達していない」と云う。
事実が明らかになったと報じています。
静電気が原因：
この歩留率低下の原因は、「静電気によるもの」のようです。
3nmの歩留率改良へ：
サムスンは、
Silicon Frontline Technology社と提携し、3nmプロセスの歩留率改良を目指すとのこと。
この低い歩留率の影響
「サムスンの3nmプロセス」は、
Galaxyなどスマートフォン製品には使われていません。「現時点で明らかになった顧客」は、
Bitcoinなど仮想通貨マイニング用ASICだけのようです。サムスン製の半導体：
- 「GeForce RTX 3000の初回供給量が不足していた」
- 「Snapdragon 8 Gen 1がTSMCへ移行の原因」は歩留率
サムスン製の半導体は、「ずっと歩留率についての問題」を抱えています。
歩留率が大問題：
- NVIDIAのRTX 3000は、歩留率が 50%
- Snapdragon 8 Gen 1は、歩留率が35%
- 両方とも、異常に低い状態でした。
微細化が進んだことで、歩留率の悪化に拍車がかかった。
ついに、歩留率 が20%に落ちてしまいました。
ここまで悪化すると、3nmを採用する意味がありません。
歩留率をどうにかしないとやばいですね。
https://gazlog.com/entry/samsung-low-yield-3nm/
QualcommがSnapdragon8+ Gen1を発表。半年でサムスンからTSMCに移行。
https://gazlog.com/entry/goingtsmcsnapdragon8plus/
3 nm de Samsung : le taux de rendement est le pire à 20 % !
ー Seuls les ASIC pour l’exploitation minière pour les clients 3 nm ー
ーPartenariat avec Silicon Frontline Technologyー
Samsung Electronics :
Nous avons commencé la production de masse sur le processus 3 nm avant TSMC.
Cependant, “des informations selon lesquelles le taux de rendement de ce processus de 3 nm est de l’ordre de 20 %”
Rapporté par un journal taïwanais.
GAA Samsung :
30 juin 2022,
Adoption de l’architecture Gate-All-Around (GAA).
Avant TSMC, a commencé la production initiale du processus 3nm.
Processus 3 nm de Samsung :
Processus 3 nm de Samsung Electronics
Comparé à 4 nm de Qualcomm Snapdragon8 Gen 1,
Il était considéré comme “améliorant considérablement le rendement et l’efficacité”.
Société de presse taïwanaise
Temps de l’industrie et du commerce
Samsung
En ce qui concerne ce processus de 3 nm, dit-il, « le taux de rendement n’a atteint que 20 % ».
On rapporte que les faits ont été révélés.
Causé par l’électricité statique :
La cause de cette diminution du taux de rendement semble être due à “l’électricité statique”.
Jusqu’à 3 nm d’amélioration du rendement :
Samsung
En partenariat avec Silicon Frontline Technology, la société vise à améliorer le taux de rendement du procédé 3 nm.
Impact de ce faible taux de rendement
“Processus 3 nm de Samsung”
Il n’est pas utilisé dans les produits pour smartphones tels que Galaxy.
Les « clients actuellement identifiés » sont :
Il semble que ce ne soit qu’un ASIC pour l’extraction de devises virtuelles telles que Bitcoin.
Semi-conducteurs Samsung :
“L’offre initiale de GeForce RTX 3000 était insuffisante”
“La raison pour laquelle Snapdragon 8 Gen 1 est passé à TSMC” est le taux de rendement
Les semi-conducteurs de Samsung ont eu “des problèmes de taux de rendement depuis le début”.
Le taux de rendement est un gros problème :
Le RTX 3000 de NVIDIA a un taux de rendement de 50 %
Snapdragon 8 Gen 1 a un taux de rendement de 35%
Les deux étaient anormalement bas.
Les progrès de la miniaturisation ont accéléré la dégradation du taux de rendement.
Enfin, le taux de rendement est tombé à 20 %.
Si ça empire comme ça, il ne sert à rien d’adopter 3nm.
Ce sera mauvais si nous ne faisons rien au sujet du taux de rendement.
journal de gaz
Qualcomm annonce Snapdragon 8+ Gen1. Passé de Samsung à TSMC en six mois.
Samsungs 3nm: Ausbeute mit 20% am schlechtesten!
ーNur ASICs für den Bergbau für 3-nm-Kundenー
ーPartnerschaft mit Silicon Frontline Technologyー
Samsung-Elektronik:
Wir haben vor TSMC mit der Massenproduktion im 3-nm-Prozess begonnen.
Allerdings „Informationen, dass die Ausbeuterate dieses 3-nm-Prozesses im Bereich von 20 % liegt“
Berichtet von einer taiwanesischen Zeitung.
Samsung-GAA:
30. Juni 2022,
Angenommene Gate-All-Around-Architektur (GAA).
Beginnte vor TSMC mit der ersten Produktion des 3-nm-Prozesses.
Samsungs 3-nm-Prozess:
3-nm-Prozess von Samsung Electronics
Im Vergleich zu 4 nm von Qualcomm Snapdragon8 Gen 1,
Es wurde als “erhebliche Verbesserung von Ausbeute und Effizienz” angesehen.
Taiwanesisches Zeitungsunternehmen
Industrie- und Handelszeiten
Samsung
In Bezug auf diesen 3-nm-Prozess sagt er: „Die Ausbeuterate hat nur 20 % erreicht.“
Es wird berichtet, dass die Fakten ans Licht gekommen sind.
Verursacht durch statische Elektrizität:
Die Ursache für diese Abnahme der Ertragsrate scheint auf “statische Elektrizität” zurückzuführen zu sein.
Zur 3-nm-Ertragsverbesserung:
Samsung
In Partnerschaft mit Silicon Frontline Technology will das Unternehmen die Ausbeuterate des 3-nm-Prozesses verbessern.
Auswirkungen dieser niedrigen Rendite
„Der 3-nm-Prozess von Samsung“
Es wird nicht in Smartphone-Produkten wie Galaxy verwendet.
„Aktuell identifizierte Kunden“ sind:
Es scheint nur ASIC für das Schürfen virtueller Währungen wie Bitcoin zu sein.
Samsung-Halbleiter:
“Die anfängliche Lieferung von GeForce RTX 3000 war unzureichend”
„Der Grund, warum Snapdragon 8 Gen 1 zu TSMC gewechselt ist“ ist die Ertragsrate
Die Halbleiter von Samsung hatten „die ganze Zeit Probleme mit den Ertragsraten“.
Die Ertragsrate ist ein großes Problem:
NVIDIAs RTX 3000 hat eine Ausbeute von 50 %
Snapdragon 8 Gen 1 hat eine Ausbeute von 35 %
Beide waren ungewöhnlich niedrig.
Fortschritte in der Miniaturisierung beschleunigten die Verschlechterung der Ausbeuterate.
Schließlich sank die Ausbeute auf 20 %.
Wenn es so schlimmer wird, macht es keinen Sinn, 3nm zu übernehmen.
Es wird schlimm, wenn wir nichts gegen die Ertragsrate unternehmen.
Gazlog
Qualcomm kündigt Snapdragon 8+ Gen1 an. Innerhalb eines halben Jahres von Samsung zu TSMC gewechselt.