中国の先進技術：半導体性能が急速進化
China’s advanced tech: Evolution of semiconductor performance
中國先進技術：半導體性能快速演進
・著名大学に、多くの中国製装置
・’211工程と985工程’で研究推進
日経クロステック（xTECH）掲載記事からSummaryをお届けします。
中国の半導体開発：
中国は、半導体の国産比率向上を目指す。
中国は、当然ながら、「半導体教育」に力を入れている。
実際、中国半導体業界からの人材需要は大きい。
中国電子科技大学を訪問：（写真1）
2023年12月筆者は、四川省成都市を訪れた。
大学院レベルの半導体教育の現場である電子科技大学を訪問。
中国の半導体教育政策
中国政府は、半導体に関する研究教育を強化する。
’国家集積回路産学融合イノベーションプラットフォーム’を設立した。
超一流の第1期校と第2期校：
2019年の第1期校：
第1期校に、北京大学、清華大学、復旦大学、厦門大学の4校を選定した。
2021年の第2期校：
第2期校に、華中科技大学、南京大学、電子科技大学、西安電子科技大学の4校を選定した。
中国の高校生のうち、トップ1％未満が入学する超一流大学だ。
’211工程と985工程’プログラム
上記大学は、中国重点化プログラムの’211工程と985工程’に選ばれた。
現在、その統合プログラムの「双一流」に認定されている。
１．第1期校：
清華大学と北京大学は環渤海地域、
復旦大学は長江デルタ地域、
厦門大学は珠江デルタ地域、
２．第2期校：
中国内陸部で、有力大都市圏をカバーしている。
華中科技大学＝武漢市、
南京大学＝南京市、
電子科技大学＝成都市、
西安電子科技大学＝西安市、
電子科技大学：
2021年、電子科技大学は3.5億元（70億円）の助成金を獲得。
産学融合プラットフォームで、集積回路の研究を進める。
１．成都ハイテクパーク（成都高新産業開区）で、
２．重慶西永エレクトロニクス（重慶西永微電子産業園区）で、
３．中国電子科技集団（CETC）などと共同研究。
中国電子科技集団：（CETC）
傘下に、中国情報産業部直轄の研究所（＝ナンバー研究所）を、多数抱えている。
１．CETCは、エレクトロニクス・IT全般を研究対象とする。
２．また、米国の「エンティティーリスト」に指定された。
電子科技大学・クリーンルームを訪問：
電子科技大学は、集積回路理工学科校舎を新築した。
新校舎の前には、Chen Xingbi氏の銅像が設置。
陳星弼氏は、パワー半導体研究の功績者である。
成都国家“芯火”双創基地：
インキュベーション拠点、双創基地（写真4）が併設されている。
１．ここは半導体企業に集積回路設計、
２．テープアウト、テスト、トレーニング、
３．資金調達、インキュベーションなど提供する。
クリーンルームを設置：
新校舎の1階と2階にクリーンルームがある。
その大きさは約2500m2にもなる。
なお、その他に以前からある1000m2ほどのクリーンルームがある。
最先端クリーンルームを見学：
電子科技大学のご厚意で、最新のクリーンルームを見学した。
多くの中国製の半導体製造装置が設置されている。
目立ったのは、前述の中国電子科技集団製の装置である。
“SEMICORE”ブランド：
製品は、まだクリーンルームに設置されていない。大きなコンテナで到着していた。
１．ウェットステーション、ダイサー、グラインダーなどがあった。
２．さらに、イオン注入装置も同社製である。
このイオン注入装置は、2023年実用化されたばかりのもの。
リソグラフィー装置とエッチング装置：
一方、リソグラフィー装置とエッチング装置は主に海外製である。
リソグラフィー装置：
日本・ニコンのステッパー（またはスキャナー）、
ドイツ・Raith（レイス）の電子線描画装置、
ドイツ・SUSS MicroTecのマスクアライナーなど、
エッチング装置：
米Oxford InstrumentsのICP（Inductively Coupled Plasma）エッチャー、
米 Coupled Plasmaエッチャー、
米PECVD（Plasma Enhanced Chemical Vapor Deposition）装置、
韓国GigaLaneのDRIE（Deep Reactive Ion Etching）装置、
28 nmノード対応：
前工程装置は、基本的に28 nmノードに対応している。
露光装置は、KrFステッパー（またはスキャナー）のようだ。
前工程装置以外：
ダイサー、テスター、チップハンドラーなど、中国製の量産用実装装置を導入。
教育・実習用の装置：
型酸化炉（3インチ、4インチ）が4台設置してある。
学部生が自ら操作、実習するための教育用装置とのこと。
https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00001/08905/
中国の半導体：米国規制下でも、更にシェア拡大へ
日経クロステック（xTECH）掲載記事からSummaryをお届けします。
台湾の調査会社：トレンドフォース
中国半導体・成熟プロセス対する、米国規制の影響を分析した。
中国半導体・世界市場シェアは、今後拡大するとの予測を示した。
中国のウエハー生産能力：
12インチ（300mm）ウエハーに換算した中国のシェア。
2022年から2pt増加して、2026年に26％生産の見込み。
2026年の中国シェア：
’40/28nm製造装置の対中輸出が、承認される前提’で、試算した。
2026年の中国シェアは、28％に達する。
米日蘭が対中輸出規制を実施：
米国や日本、欧州で、半導体製造装置の対中輸出規制が進んでいる。
露光装置の輸出制限：
2023年6月、先端半導体製造装置の追加輸出管理規制を9月開始した。
EUV露光装置に加え、DUV露光装置が輸出制限対象になった。
成熟プロセス（55/40/28nm）への影響：
トレンドフォースの予測：
55/40/28nmの成熟プロセスでは、中国の生産や開発への影響は少ない。
フォトリソグラフィー関連装置を除いて、最小限にとどまるという。
例えば、成膜装置は中国企業の供給で、中国内の需要を満たせる。