96層積層プロセスを用いた第4世代3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」の開発について | 当社は、3次元フラッシュメモリ「BiCS FLASH™」注1の96層積層プロセスを適用した製品を試作し、基本動作を確認しました。本試作品は256ギガビット（32ギガバイト）の3ビット/セル（TLC）で、2017年後半にサンプル出荷、さらに2018年に量産開始を予定しており、データセンター向けエンタープライズSSDやPC向けSSD、スマートフォン、タブレット、メモリカードなどを中心に市場のニーズに合わせて展開していきます。 東芝 ストレージ＆デバイスソリューション社
https://toshiba.semicon-storage.com/jp/company/news/news-topics/2017/06/memory-20170628-2.html
Toshiba Memory Corporation Develops World’s First QLC 3D Flash Memory | TOKYO–Toshiba Memory Corporation, the world leader in memory solutions, today announced development of the world’s first*1BiCS FLASH™ three-dimensional (3D) flash memory*2 with a stacked cell structure. The newest BiCS FLASH™ device is the first to deliver 4-bit-per-cell (quadruple-level cell, QLC) technology, advancing capacity beyond that of triple-level cell (TLC) devices and pushing the boundaries of flash memory technology TOSHIBA Storage & Electronic Devices Solutions Company | Asia-Pacific
https://toshiba.semicon-storage.com/ap-en/company/news/news-topics/2017/06/memory-20170628-1.html?fromRSS=IR2017062802
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