GaN: Analyzing patents for next-generation technologies:
-Compare the “patent power” of the world-
Japan Patent Office:
The 2021 patent application technology trend survey has been announced this time.
This technical theme:
In the technology trend survey,
Analyzing patent information from around the world together with papers, etc.
Understand the R & D trends of each country and each company.
The theme this time is “Gallium Nitride (GaN) Power Device”
GaN power device:
It is applied in various fields such as railways, automobiles, and smartphones.
Global decarbonization trend:
Performance improvement for energy saving is required.
Limitations of Silicon Crystal Substrate:
Among the power device materials,
“The one using the current mainstream silicon crystal substrate” is approaching the limit of characteristic improvement.
Next-generation GaN technology:
Therefore, GaN is attracting attention.
Material properties are
Bandgap is 3 times that of silicon,
Dielectric breakdown electric field is 11 times that of silicon,
It is expected as a next-generation technology that leads to low power consumption.
What is a GaN power device?
“The number of inventions of Japanese nationality of GaN power devices” accounts for 43.9% of the world total.
There are two types of GaN power devices: horizontal type and vertical type.
“The quality of bulk crystals is extremely important” to realize the vertical type.
Research in the field of bulk crystals:
In Japan, “Patent application and dissertation publication in this bulk crystal field”
Active worldwide.
Number of inventions ranking:
In the bulk crystal field / ranking of the number of inventions by applicant,
Japanese companies monopolized the top nine.
Sumitomo Electric Industries has the largest number,
Mitsubishi Chemical,
NGK continues.
New switch
GaN : Analyse des brevets pour les technologies de nouvelle génération :
-Comparer la “puissance des brevets” du monde-
Office japonais des brevets :
L’enquête sur les tendances technologiques en matière de demandes de brevets pour 2021 a été annoncée cette fois.
Ce thème technique :
Dans l’enquête sur les tendances technologiques,
Analyser des informations sur les brevets du monde entier ainsi que des articles, etc.
Comprendre les tendances R&D de chaque pays et de chaque entreprise.
Le thème cette fois est “Dispositif d’alimentation en nitrure de gallium (GaN)”
Dispositif d’alimentation GaN :
Il est appliqué dans divers domaines tels que les chemins de fer, les automobiles et les smartphones.
Tendance mondiale à la décarbonisation :
Une amélioration des performances pour les économies d’énergie est nécessaire.
Limites du substrat de cristal de silicium :
Parmi les matériaux des dispositifs de puissance,
“Celui qui utilise le substrat de cristal de silicium courant principal” approche de la limite d’amélioration des caractéristiques.
Technologie GaN de nouvelle génération :
Par conséquent, le GaN attire l’attention.
Les propriétés des matériaux sont
La bande interdite est 3 fois supérieure à celle du silicium,
Le champ électrique de claquage diélectrique est 11 fois supérieur à celui du silicium,
On s’attend à ce qu’il s’agisse d’une technologie de nouvelle génération qui conduit à une faible consommation d’énergie.Qu’est-ce qu’un dispositif d’alimentation GaN ?
“Le nombre d’inventions de nationalité japonaise de dispositifs de puissance GaN” représente 43,9% du total mondial.
Il existe deux types de dispositifs d’alimentation GaN : le type horizontal et le type vertical.
“La qualité des cristaux en vrac est extrêmement importante” pour réaliser le type vertical.
Recherche dans le domaine des cristaux massifs :
Au Japon, “Demande de brevet et publication de thèse dans ce domaine du cristal en vrac”
Actif dans le monde entier.
Classement du nombre d’inventions :
Dans le domaine des cristaux massifs / classement du nombre d’inventions par déposant,
Les entreprises japonaises ont monopolisé les neuf premiers.
Sumitomo Electric Industries a le plus grand nombre,
Mitsubishi chimique,
NGK continue.Nouvel interrupteur
GaN: Analyse von Patenten für Technologien der nächsten Generation:
-Vergleiche die “Patentmacht” der Welt-
Japanisches Patentamt:
Diesmal wurde die Trendumfrage zur Patentanmeldungstechnologie 2021 angekündigt.
Dieses technische Thema:
In der Technologie-Trendumfrage
Analyse von Patentinformationen aus der ganzen Welt zusammen mit Papieren usw.
Verstehen Sie die F&E-Trends jedes Landes und jedes Unternehmens.
Das Thema ist diesmal “Gallium Nitride (GaN) Power Device”
GaN-Leistungsgerät:
Es wird in verschiedenen Bereichen wie Eisenbahnen, Automobilen und Smartphones eingesetzt.
Globaler Dekarbonisierungstrend:
Eine Leistungsverbesserung zum Energiesparen ist erforderlich.
Einschränkungen des Siliziumkristallsubstrats:
Unter den Materialien für Leistungsgeräte sind
“Derjenige, der das derzeitige Mainstream-Siliziumkristallsubstrat verwendet”, nähert sich der Grenze der charakteristischen Verbesserung.
GaN-Technologie der nächsten Generation:
Daher zieht GaN Aufmerksamkeit auf sich.
Materialeigenschaften sind
Die Bandlücke ist dreimal so hoch wie bei Silizium,
Das elektrische Feld des dielektrischen Durchbruchs ist 11-mal so groß wie das von Silizium.
Es wird erwartet, dass es sich um eine Technologie der nächsten Generation handelt, die zu einem geringen Stromverbrauch führt.Was ist ein GaN-Leistungsgerät?
„Die Zahl der Erfindungen japanischer Nationalität von GaN-Leistungsgeräten“ macht 43,9 % der weltweiten Gesamtzahl aus.
Es gibt zwei Typen von GaN-Leistungsbauelementen: horizontaler Typ und vertikaler Typ.
“Die Qualität von Bulk-Kristallen ist extrem wichtig”, um den vertikalen Typ zu realisieren.
Forschung im Bereich Volumenkristalle:
In Japan „Patentanmeldung und Dissertationsveröffentlichung auf diesem Gebiet von Massenkristallen“
Weltweit aktiv.
Ranking der Anzahl der Erfindungen:
Im Bulk-Kristall-Bereich / Ranking der Zahl der Erfindungen nach Anmelder,
Japanische Unternehmen monopolisierten die Top 9.
Sumitomo Electric Industries hat die größte Anzahl,
Mitsubishi Chemical,
NGK fährt fort.Neuer Schalter