Nagoya University: Disassembling and investigating EV inverters:
-China’s 500,000 yen EV inverter is amazing-
-A Japanese engineer backs up the development? –
2022.04.26
Nagoya University:
The inverter of “Hongguang MINI EV” was disassembled and investigated.
The integration of parts greatly contributes to low cost.
Low cost with component integration:
Three-phase inverter for driving a motor:
According to the analysis of Nagoya University
The cost of the three-phase inverter is as low as 16,000 yen.
Retaining advanced design capabilities:
We investigated “high design capabilities such as circuit design and anti-vibration mechanism” and “sharpness of parts selection”.
Disassemble the three-phase inverter:
The high design power of this three-phase inverter
It also appeared in the details of the circuit design and anti-vibration mechanism.
Structure of power circuit part:
Let’s take a look at the lower case where the power circuit part is located.
The power circuit section has a two-layer structure (Fig. 8).
1st layer:
Aluminum electrolytic capacitors for smoothing and drive ICs are mounted.
Power flows in from the DC input terminal and is DC smoothed by the first layer aluminum electrolytic capacitor (Fig. 9).
2nd layer:
Mainly power semiconductors for power conversion are listed.
It is sent to the second layer substrate via the DC input color and converted to alternating current by the three-phase power semiconductor group.
This AC power:
With the AC output terminal pole, which is the three columns of the inverter structure,
It is sent to the AC current sensor in the upper case.
Finally, it goes out of the inverter by the three-phase output current terminal.
The arrangement of the second layer power semiconductor is also interesting (Fig. 10).
There are a total of 36 power semiconductors, which are paralleled to 6 as switches for three-phase inverters.
Power semiconductor placement:
It was widely dispersed on the board.
This is to achieve even heat distribution.
It seems that a skilled Japanese designer was involved in this design.
Supported by Japanese engineers:
Japanese engineers support such advanced commercialization.
The word “inspection” was found on the board inside the inverter (Fig. 3).
The custom of imprinting in the mass production process of substrates is pervasive only in Japan.
There was a habit of Japanese manufacturers in the circuit configuration.
In other words, a Japanese engineer went to China.
It should support the mass production process of this inverter.
On-board power semiconductors:
Si MOSFET “IPB072N15N3” manufactured by Infineon Technologies of Germany (Fig. 11)
The withstand voltage is 150V and the rated current is 100A.
Nikkei Cross Tech (xTECH)
https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/02028/00002/
Université de Nagoya : Démonter et étudier les onduleurs EV :
-L’onduleur EV de 500 000 yens de la Chine est incroyable-
-Un ingénieur japonais soutient le développement ? –
2022.04.26
Université de Nagoya :
L’onduleur de “Hongguang MINI EV” a été démonté et étudié.
L’intégration des pièces contribue grandement au faible coût.
Faible coût avec intégration de composants :
Onduleur triphasé pour entraîner un moteur :
Selon l’analyse de l’Université de Nagoya
Le coût de l’onduleur triphasé est aussi bas que 16 000 yens.
Conserver des capacités de conception avancées :
Nous avons étudié “les capacités de conception élevées telles que la conception de circuits et le mécanisme anti-vibration” et “la netteté de la sélection des pièces”.
Démonter l’onduleur triphasé :
La puissance nominale élevée de cet onduleur triphasé
Il est également apparu dans les détails de la conception du circuit et du mécanisme anti-vibration.
Structure de la partie circuit de puissance :
Jetons un coup d’œil au boîtier inférieur où se trouve la partie du circuit d’alimentation.
La section du circuit de puissance a une structure à deux couches (Fig. 8).
1ère couche :
Des condensateurs électrolytiques en aluminium pour le lissage et les circuits intégrés d’entraînement sont montés.L’alimentation provient de la borne d’entrée CC et est lissée en CC par le condensateur électrolytique en aluminium de première couche (Fig. 9).
2ème couche :
Ce sont principalement des semi-conducteurs de puissance pour la conversion de puissance qui sont répertoriés.Il est envoyé au substrat de la deuxième couche via la couleur d’entrée CC et converti en courant alternatif par le groupe de semi-conducteurs de puissance triphasé.
Cette alimentation CA :
Avec le pôle terminal de sortie AC, qui est les trois colonnes de la structure de l’onduleur,
Il est envoyé au capteur de courant alternatif dans le boîtier supérieur.
Enfin, il sort de l’onduleur par la borne de courant triphasé de sortie.
L’agencement du semi-conducteur de puissance de la deuxième couche est également intéressant (Fig. 10).
Il y a un total de 36 semi-conducteurs de puissance, qui sont mis en parallèle avec 6 en tant que commutateurs pour les onduleurs triphasés.
Placement des semi-conducteurs de puissance :
Il était largement dispersé sur le plateau.
Cela permet d’obtenir une répartition uniforme de la chaleur.
Il semble qu’un designer japonais qualifié ait été impliqué dans cette conception.Soutenu par des ingénieurs japonais :
Les ingénieurs japonais soutiennent une telle commercialisation avancée.
Le mot “inspection” a été trouvé sur la carte à l’intérieur de l’onduleur (Fig. 3).
La coutume de l’impression dans le processus de production de masse de substrats n’est omniprésente qu’au Japon.
père,Il y avait une habitude des fabricants japonais dans la configuration du circuit.
En d’autres termes, un ingénieur japonais est allé en Chine.
Il devrait prendre en charge le processus de production de masse de cet onduleur.Semiconducteurs de puissance embarqués :
Si MOSFET “IPB072N15N3” fabriqué par Infineon Technologies d’Allemagne (Fig. 11)
La tension de tenue est de 150 V et le courant nominal est de 100 A.
Nikkei CrossTech (xTECH)
Universität Nagoya: Demontage und Untersuchung von EV-Wechselrichtern:
-Chinas 500.000 Yen EV-Wechselrichter ist erstaunlich-
-Ein japanischer Ingenieur unterstützt die Entwicklung? –
2022.04.26
Universität Nagoya:
Der Wechselrichter des „Hongguang MINI EV“ wurde zerlegt und untersucht.
Die Integration von Teilen trägt stark zu niedrigen Kosten bei.
Niedrige Kosten durch Komponentenintegration:
Dreiphasiger Wechselrichter zum Antreiben eines Motors:
Laut der Analyse der Universität Nagoya
Die Kosten für den dreiphasigen Wechselrichter betragen nur 16.000 Yen.
Fortgeschrittene Designfähigkeiten beibehalten:
Wir untersuchten „hohe Designfähigkeiten wie Schaltungsdesign und Antivibrationsmechanismus“ und „Schärfe der Teileauswahl“.
Demontieren Sie den dreiphasigen Wechselrichter:
Die hohe Auslegungsleistung dieses dreiphasigen Wechselrichters
Es erschien auch in den Details des Schaltungsdesigns und des Antivibrationsmechanismus.
Aufbau Leistungsteil:
Werfen wir einen Blick auf das untere Gehäuse, in dem sich der Leistungsteil befindet.
Der Leistungsteil ist zweischichtig aufgebaut (Abb. 8).
1. Schicht:
Aluminium-Elektrolytkondensatoren zur Glättung und Treiber-ICs sind montiert.Der Strom fließt vom DC-Eingangsanschluss und wird durch den Aluminium-Elektrolytkondensator der ersten Schicht DC-geglättet (Abb. 9).
2. Schicht:
Hauptsächlich sind Leistungshalbleiter zur Leistungsumwandlung aufgeführt.Es wird über die DC-Eingangsfarbe an das Substrat der zweiten Schicht gesendet und von der dreiphasigen Leistungshalbleitergruppe in Wechselstrom umgewandelt.
Diese Wechselstromleistung:
Mit dem AC-Ausgangspol, der die drei Säulen der Wechselrichterstruktur darstellt,
Es wird an den AC-Stromsensor im oberen Gehäuse gesendet.
Schließlich verlässt es den Wechselrichter durch die dreiphasige Ausgangsstromklemme.
Interessant ist auch die Anordnung der Leistungshalbleiter der zweiten Schicht (Abb. 10).
Es gibt insgesamt 36 Leistungshalbleiter, die zu 6 als Schalter für dreiphasige Wechselrichter parallel geschaltet sind.
Bestückung von Leistungshalbleitern:
Es war auf dem Brett weit verstreut.
Dadurch soll eine gleichmäßige Wärmeverteilung erreicht werden.
Es scheint, dass ein erfahrener japanischer Designer an diesem Entwurf beteiligt war.Unterstützt von japanischen Ingenieuren:
Japanische Ingenieure unterstützen eine solche fortgeschrittene Kommerzialisierung.
Auf der Platine im Inneren des Wechselrichters war das Wort „Inspektion“ zu finden (Abb. 3).
Der Brauch des Bedruckens im Massenproduktionsprozess von Substraten ist nur in Japan allgegenwärtig.Es gab eine Gewohnheit japanischer Hersteller in der Schaltungskonfiguration.
Mit anderen Worten, ein japanischer Ingenieur ging nach China.
Es soll den Massenproduktionsprozess dieses Wechselrichters unterstützen.On-Board-Leistungshalbleiter:
Si-MOSFET “IPB072N15N3”, hergestellt von Infineon Technologies, Deutschland (Fig. 11)
Die Spannungsfestigkeit beträgt 150 V und der Nennstrom 100 A.
Nikkei Cross Tech (xTECH)