圖1 新開發的芯片結構（上：芯片部分；下：並聯芯片）
三菱電機：闡明浪湧電流的機理！
ー開發內置SBD的SiC-MOSFETー
電波新聞數字評論文章報導
人們對“可以顯著降低功率損耗的 SiC 功率半導體”的期望越來越高。 』
三菱電機：“FMF800DC-66BEW”
通過3.3kV全SiC功率模塊“FMF800DC-66BEW”實現。
宣布了一種用於鐵路車輛和直流輸電等大型工業設備的內置 SBD 的新型 SiC-MOSFET 技術。
通過“鐵路推進控制裝置的小型化、節能和直流輸電的普及”為碳中和做出貢獻。 』
分離式SiC-MOSFET和SiC-SBD的結構圖和內置SBD的SiC-MOSFET結構圖
內置 SBD 的 SiC-MOSFET：
與兩者都是單獨芯片的傳統技術相比，功率模塊安裝芯片可以高密度安裝。
可以使模塊更小並增加容量。 另外，可以降低開關損耗。
它將在“小型化和節能必不可少的鐵路和直流輸電的大型工業設備”中得到推廣。
闡明浪湧電流的機理：
通常，浪湧電流引起的熱損壞一直是一個主要問題。
世界首次闡明“浪湧電流集中於特定芯片的機理”。
新開發的新型芯片結構：
開發了一種新的芯片結構。 即使所有芯片同時開始通電，浪湧電流也會分佈在每個芯片上。
https://news.yahoo.co.jp/articles/338d63d2d12674c9bf3e7e05253c18c507cac549
MITSUBISHI ELECTRIC News Releases
Mitsubishi Electric
has now developed the world’s first mechanism
by which surge current concentrates on a specific chip in a parallel-connected chip structure inside a power module,
and a new chip structure in which all chips start energizing simultaneously so that surge current is distributed throughout each chip.
As a result, the power module’s surge-current capacity has been improved by a factor of five or more compared to the company’s existing technology,
which is equal to or greater than that of conventional Si power modules, thus enabling the application of an SBD-embedded SiC-MOSFET in a power module.
Details of the development were announced
at 2pm on May 31 (Local Time) during ISPSD62023, which was held in Hong Kong from May 28 to June 1.