ＧａＮ：次世代特許分析：
des brevets pour de nouvelle gén:
von Patenten für der nächsten Gen:
patents for next-gen tech:
分析下一代技術的專利
ー世界の「特許力」を比較ー
日本の特許庁：
２０２１年度の特許出願技術動向調査を、今回発表した。
今回の技術テーマ：
技術動向調査調査では、
世界中の特許情報を論文などと合わせて分析、
各国や各企業の研究開発動向を把握する。
今回のテーマは「窒化ガリウム（ＧａＮ）パワーデバイス」
ＧａＮパワーデバイス：
鉄道や自動車、スマートフォンなど各分野で応用されている。
世界的な脱炭素化の流れ：
省エネルギー化に向けた性能向上が求められている。
シリコン結晶基板の限界：
パワーデバイス素材の中でも、
「現在主流のシリコン結晶基板を使ったもの」は、特性改善の限界が近づいてきた。
ＧａＮの次世代技術：
そこで注目されるのがＧａＮ。
材料特性は、
バンドギャップが、シリコンの３倍、
絶縁破壊電界が、シリコンの１１倍、
低消費電力につながる次世代技術として期待されている。ＧａＮパワーデバイスとは：
「ＧａＮパワーデバイスの日本国籍の発明数」は、世界全体の４３・９％を占める。
ＧａＮパワーデバイスには、横型と縦型がある。
縦型を実現するには、「バルク結晶の品質が極めて重要」なのだ。
バルク結晶分野の研究：
日本は「このバルク結晶分野の特許出願や論文発表」で、
世界的に活発に活動している。
発明数ランキング：
バルク結晶分野・出願人別発明数ランキングでは、
上位９位まで日本企業が独占した。
住友電気工業が最多で、
三菱ケミカル、
日本ガイシなどが続く。ニュースイッチ
GaN : Analyse des brevets pour les technologies de nouvelle génération :
-Comparer la “puissance des brevets” du monde-
Office japonais des brevets :
L’enquête sur les tendances technologiques en matière de demandes de brevets pour 2021 a été annoncée cette fois.
Ce thème technique :
Dans l’enquête sur les tendances technologiques,
Analyser des informations sur les brevets du monde entier ainsi que des articles, etc.
Comprendre les tendances R&D de chaque pays et de chaque entreprise.
Le thème cette fois est “Dispositif d’alimentation en nitrure de gallium (GaN)”
Dispositif d’alimentation GaN :
Il est appliqué dans divers domaines tels que les chemins de fer, les automobiles et les smartphones.
Tendance mondiale à la décarbonisation :
Une amélioration des performances pour les économies d’énergie est nécessaire.
Limites du substrat de cristal de silicium :
Parmi les matériaux des dispositifs de puissance,
“Celui qui utilise le substrat de cristal de silicium courant principal” approche de la limite d’amélioration des caractéristiques.
Technologie GaN de nouvelle génération :
Par conséquent, le GaN attire l’attention.
Les propriétés des matériaux sont
La bande interdite est 3 fois supérieure à celle du silicium,
Le champ électrique de claquage diélectrique est 11 fois supérieur à celui du silicium,
On s’attend à ce qu’il s’agisse d’une technologie de nouvelle génération qui conduit à une faible consommation d’énergie.Qu’est-ce qu’un dispositif d’alimentation GaN ?
“Le nombre d’inventions de nationalité japonaise de dispositifs de puissance GaN” représente 43,9% du total mondial.
Il existe deux types de dispositifs d’alimentation GaN : le type horizontal et le type vertical.
“La qualité des cristaux en vrac est extrêmement importante” pour réaliser le type vertical.
Recherche dans le domaine des cristaux massifs :
Au Japon, “Demande de brevet et publication de thèse dans ce domaine du cristal en vrac”
Actif dans le monde entier.
Classement du nombre d’inventions :
Dans le domaine des cristaux massifs / classement du nombre d’inventions par déposant,
Les entreprises japonaises ont monopolisé les neuf premiers.
Sumitomo Electric Industries a le plus grand nombre,
Mitsubishi chimique,
NGK continue.Nouvel interrupteur
GaN: Analyse von Patenten für Technologien der nächsten Generation:
-Vergleiche die “Patentmacht” der Welt-
Japanisches Patentamt:
Diesmal wurde die Trendumfrage zur Patentanmeldungstechnologie 2021 angekündigt.
Dieses technische Thema:
In der Technologie-Trendumfrage
Analyse von Patentinformationen aus der ganzen Welt zusammen mit Papieren usw.
Verstehen Sie die F&E-Trends jedes Landes und jedes Unternehmens.
Das Thema ist diesmal “Gallium Nitride (GaN) Power Device”
GaN-Leistungsgerät:
Es wird in verschiedenen Bereichen wie Eisenbahnen, Automobilen und Smartphones eingesetzt.
Globaler Dekarbonisierungstrend:
Eine Leistungsverbesserung zum Energiesparen ist erforderlich.
Einschränkungen des Siliziumkristallsubstrats:
Unter den Materialien für Leistungsgeräte sind
“Derjenige, der das derzeitige Mainstream-Siliziumkristallsubstrat verwendet”, nähert sich der Grenze der charakteristischen Verbesserung.
GaN-Technologie der nächsten Generation:
Daher zieht GaN Aufmerksamkeit auf sich.
Materialeigenschaften sind
Die Bandlücke ist dreimal so hoch wie bei Silizium,
Das elektrische Feld des dielektrischen Durchbruchs ist 11-mal so groß wie das von Silizium.
Es wird erwartet, dass es sich um eine Technologie der nächsten Generation handelt, die zu einem geringen Stromverbrauch führt.Was ist ein GaN-Leistungsgerät?
„Die Zahl der Erfindungen japanischer Nationalität von GaN-Leistungsgeräten“ macht 43,9 % der weltweiten Gesamtzahl aus.
Es gibt zwei Typen von GaN-Leistungsbauelementen: horizontaler Typ und vertikaler Typ.
“Die Qualität von Bulk-Kristallen ist extrem wichtig”, um den vertikalen Typ zu realisieren.
Forschung im Bereich Volumenkristalle:
In Japan „Patentanmeldung und Dissertationsveröffentlichung auf diesem Gebiet von Massenkristallen“
Weltweit aktiv.
Ranking der Anzahl der Erfindungen:
Im Bulk-Kristall-Bereich / Ranking der Zahl der Erfindungen nach Anmelder,
Japanische Unternehmen monopolisierten die Top 9.
Sumitomo Electric Industries hat die größte Anzahl,
Mitsubishi Chemical,
NGK fährt fort.Neuer Schalter