日本：急浮上する「GaNパワー半導体」：SiC、GaN、Ga2O3（動画）：
Japan: Rapidly emerging “GaN power semiconductors”: SiC, GaN, Ga2O3：
日本：迅速崛起的“GaN功率半导体”：SiC、GaN、Ga2O3
ー消費電力半減の切り札ー
経済産業省：
6月、経済産業省は、
「パワー半導体の消費電力を、2030年までに現在の半分に減らす」目標を発表した。
パワー半導体の消費電力：
半分に減らす目標達成のため、「超高効率の次世代パワー半導体、SiC、GaN、Ga2O3など」を実用化する。
次世代パワー半導体の研究開発を支援し、半導体サプライチェーンの設備投資を支援する。
次世代 パワー半導体：
現在、GaNパワー半導体は、高価である。
一方、次世代GaNパワー半導体は、高効率・高耐久性デバイスを実現できる。
日本有力企業に注目：
日本製鋼所：
GaN単結晶基板の量産化実証設備を、建設した。
三菱ケミカル：
今年5月共同で、GaN単結晶基板の量産に向けた実証設備を、日本製鋼所Ｍ＆Ｅ室蘭製作所構内に建設したと発表した。
4インチ基板量産に向けた実証実験を行う。
22年度初頭から市場供給を開始する予定。
住友化学：
15年に日立金属 のGaN基板・GaAsエピウエハーなどの事業を取得。
次世代化合物半導体材料開発を推進中。
22年にもパワー半導体向けに4インチサイズの単結晶基板の量産販売を開始。
24年をメドに国内で本格的な4インチ基板拡大に必要な生産体制を整える。
住友電気工業：
世界で初めてGaNを用いた超高速トランジスタ（GaN-HEMT）を実用化。
5G基地局向けGaN-HEMTでは世界シェアトップを誇る。
GaNデバイスは高周波数帯域で使われる。
通信網が進化してより高い周波数帯の利用が進むと、更に需要が増える見通しだ。
Ｍｉｐｏｘ：
名古屋大学：共同研究「半導体製造の生産性向上、キラー欠陥自動検査システムの開発」
NEDOの「官民による若手研究者発掘支援事業」に採択されたと発表した。
ウエハー内部に含まれる結晶の欠陥を非破壊で可視化することで生産性を飛躍的に向上させるという。
オキサイド：
6月、GaN薄膜単結晶の成長に適した新材料単結晶基板「SAM」のサンプル出荷を開始する。
単結晶基板「SAM」
SAMを利用することで、従来よりも高歩留まりを確保する。
高性能GaN薄膜単結晶の実現が期待できる。
今後量産化へ向け開発を加速させるという。
このほか、
富士通ゼネラル：
新電元工業：GaNを使用したパワーモジュールを、子会社が開発。
岩崎通信機：
GaNパワー半導体の開発向けに、計測器や評価装置を手掛ける
サムコ：
GaNデバイス量産向け、化学気相成長（CVD）装置、ドライエッチング装置を提供する。
ニュース・コラム – Y!ファイナンス
https://finance.yahoo.co.jp/news/detail/20210708-00000156-stkms-stocks