中国半导体:先进EUV曝光设备的采购风险:中芯国际推迟了三代

LSI, EUV, Semi conductor, Diode

DNP:开发了5nm兼容的光掩模工艺:用于EUV光刻

Semi conductor, Diode

SiC-MOSFET结构的剖面图来源:三菱电机

Semi conductor, Diode

NEDO:Edge AI芯片:功效10倍,SLAM处理时间为1/20

LSI, AI, Semi conductor, Diode

日本:半导体制造商,韩国本地生产:Tosoh,ADEKA,东京电子

Semi conductor, Diode

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