DNP：开发了5nm兼容的光掩模工艺：用于EUV光刻
2020年7月10日
大日本印刷（DNP）：
通过使用使用多个电子束的掩模绘图系统，它与EUV（极端紫外线）光刻技术兼容，这是当前半导体制造中最先进的工艺。
我们已经开发了相当于5纳米（nm：10-9m）工艺的光掩模制造工艺。
[5nm最新半导体光掩模制造技术的特征]
光刻：缺点
在当今的半导体制造中，光刻技术用于在硅晶片上形成10 nm以上的电路图案。
但是，光刻技术由于使用准分子激光器例如波长为193nm的ArF（氟化氩）而受到分辨率的限制。
EUV光刻：优点
为了解决这个问题，EUV光刻使得通过使用波长为13.5nm的EUV作为光源来形成几nm的电路图案成为可能。
这种EUV光刻技术已开始在某些半导体制造商中投入实际使用，例如在5至7 nm工艺中的微处理器和尖端存储设备中。
未来的计划：
DNP
除了国内外的半导体制造商，
半导体开发协会，
制造设备制造商
给材料制造商等
提供用于EUV光刻的光掩模。
我们的目标是在2023年实现60亿日元的年销售额。
IMEC（大学微电子中心）
包括位于比利时的国际半导体研究所IMEC（大学微电子中心）
通过与合作伙伴的联合开发，我们将继续为3nm及以后的工艺开发更精细的工艺。
新闻| DNP日本立印刷
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