特斯拉：由于半导体故障：eMMC / NAND闪存召回160,000单位
-NHTSA要求特斯拉召回-
缺陷调查办公室（ODI）：
给特斯拉高管的一封信指出了问题的原因。
指出问题的原因：
Model S和Model X IVI可能会导致故障。
它是“ MCU（媒体控制单元）”中的“ eMMC兼容NAND闪存”。
P / E周期（重写次数）为3000次，
在重复数据重写的同时，
寿命（重写上限）在5至6年内到期。
需要指出的是，此寿命将导致MCU发生故障。
MCU故障：
由于MCU是IVI，因此它不会直接影响汽车的“行驶/转弯/停车”。
但是，如果MCU出现问题，则“安全性将受到阻碍”。
后视摄像头：
要指出的是，驾驶员将无法从后视摄像头看到图像。
特斯拉车身控制：
特斯拉通过MCU上的触摸屏显示来控制几乎所有的车身。
空调系统（HVAC）操作：
空调没有专用的物理按钮，可通过显示屏进行操作。
如果MCU卡住，则空调系统（HVAC）无法运行。
需要指出的是，由于挡风玻璃不能除霜或除霜，因此增加了发生事故的风险。
由于MCU的故障
ADAS（高级驾驶员辅助系统）和
改变方向等时带有警报
增加事故风险。
闪烁的声音和警告声将不再响起。
日经交叉技术（xTECH）
https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/00141/012100113/
美国当局要求特斯拉因半导体而召回约16万辆| Nikkei Crosstech（xTECH）