“动态AGE-ing”可替代传统的机械抛光和CMP工艺
-可用于劣质SiC晶片（高BPD密度）-
即使外延层生长，也可以获得好处资料来源：关西学院大学
丰田通商：下一代功率半导体，零缺陷的6㌅SiC基板：DynamicAGE-ing®
-向旨在早期大规模生产的设备制造商提供样品-
2021年3月1日
丰田通商：
关西学院大学：
下一代功率半导体材料我们已经开发了“动态AGE-ing®”，这是一种表面纳米控制工艺技术，可以消除SiC衬底中的缺陷*。
“动态AGE-ing®”：
该技术是“同时实现SiC衬底的高质量和生产率提高”的创新技术。
我们已经完成了6英寸SiC板的性能验证。
下一代功率半导体材料SiC衬底：
预计SiC衬底在包括快速电气化的全球汽车工业在内的广泛领域中都将有巨大需求。
它是有助于未来脱碳社会的材料。
开始向半导体制造商提供样品：
将来，我们将开始向半导体器件制造商提供样品，并进行评估和验证，以将该技术引入批量生产线。
我们还将加快在大直径8英寸SiC衬底上的应用开发的步伐，这种衬底有望普及。
常规SiC衬底存在的问题：
为了“以低成本制造高度可靠的功率半导体”，需要“高质量，大直径SiC衬底的稳定供应”。
然而，常规的SiC衬底已经被制造出来。
通过加工和加工产生的晶体应变（加工应变层）
由于基底平面脱位（BPD）缺陷
问题是在其上形成的功率半导体的性能会下降。
通过DynamicAGE-ing®解决：
独特的技术“ Dynamic AGE-ing®”不同于传统的机加工。
一种将热蚀刻和晶体生长集成在一起的非接触式纳米控制工艺技术。
这项技术
通过将SiC衬底置于超高温下的气相环境中
自主对齐表面上的原子排列，
通过阻止BPD的传播，完全去除加工应变层并实现排毒（见图1）
通过使用“ Dynamic AGE-ing®”，我们可以提高SiC衬底的质量，而不论制造商或大小。
此外，通过简化基板制造工艺并提高产量，可以提高SiC基板的生产率（见图2）。
新闻发布室|丰田通商株式会社
https://www.toyota-tsusho.com/press/detail/210301_004770.html
消除SiC晶圆中的缺陷的毒素：创新的工艺开发，
-为了降低SiC器件的成本-
绿色交通材料开发项目项目负责人
关西学院大学的Tadaaki Kaneko先生：
共同开发了动态AGE-ing。
它与“用于制造常规SiC晶片的机械加工”有很大不同。
“集成了热蚀刻和晶体生长的非接触式纳米控制工艺技术。”
在“原则上不能从SiC晶片中消除晶体缺陷”的前提下，将它们“解毒”。
传统上，SiC晶圆缺陷是一个问题：
传统上，SiC晶片一直是主要问题。
SiC晶圆由晶锭生长的硅锭制成。
在晶体生长过程中，发生了基面位错的晶体缺陷。
另外，还可能在切成薄片并对其进行研磨或抛光时出现加工应变。
问题在于它原则上存在。
减产：
这些缺陷导致SiC器件的故障，并且产率没有提高。
结果，SiC器件变得昂贵并且难以在最终产品中采用。
非接触式纳米控制工艺技术：
将SiC晶片置于超高温的气相环境中，
通过自主地将原子排列在表面上
完全去除了工作应变层。
在市售的6英寸SiC晶圆上进行了演示：
将动态AGE-ing技术应用于市售的6英寸SiC晶圆。
当前，6英寸SiC晶片的密度为每平方厘米数千BPD。
由于应用了动态AGEing技术，我们证实了在6英寸晶圆中，影响器件制造的BPD数量可以减少到一个或更少。
最终形成的表面被无BPD的生长层覆盖。
即使当外延层生长时，也仅需要堆叠漂移层。
与传统方法相比，生产率可以大大提高。
什么是“年龄”？
退火，
生长，
蚀刻的首字母缩写。
-单音
https://monoist.atmarkit.co.jp/mn/articles/2103/03/news039.html