中國半導體設備：曝光工藝技術水平
ー日本DUV曝光設備的出口限制ー
ー 中國實現ArFi浸沒式光刻技術 ー
我們將提供雅虎文章的摘要。
暴露過程級別：
中國半導體製造的最薄弱環節是曝光設備，而曝光設備又以光刻技術為核心。
曝光過程是怎樣的：
半導體在小芯片上繪製了極其精細的佈線。
通過“光照射”形成配線圖案的工序稱為曝光工序。
日本開始實施出口限制：
日本7月23日實施半導體出口管制。
它真正以曝光設備和工藝為中心。
ASML出口中國：
全球80%以上的主要半導體製造商都是ASML的客戶。
對華出口占世界總量的15%。
傳統上，中國和ASML的關係一直很好。
美國對中國的製裁：
美國已要求荷蘭對向中國出口半導體設備實施新的限制。
ASML已被迫陷入不願與美國結盟的境地。
目前佔全球市場的34.7%。
ASML的業務地點：
2020年，我們在江蘇省無錫高新技術園區建立了自己的業務基地。
ASML為中國自主研發了DUV（深紫外）曝光設備。
他們計劃在中國大陸推出。
美國和荷蘭政府：
2023年6月，荷蘭決定“自9月1日起實施出口管制法”。
此次監管的對象僅限於少數高端DUV和EUV光刻設備。
ASML 留下“在中國發布僅限中國版本的可能性”。
中國不滿稱“ASML也是美國的受害者”。
五代光源的歷史：
結合五代光源的歷史，分析我國的發展水平。
g-line：20世紀80年代使用的長波長類型
i-line：20 世紀 90 年代使用的波長稍短的類型
KrF：20 世紀 90 年代末的氪氟激光
ArF：氟化氬激光束
EUV：5代中的最新版本
中國光源發展：
我國已成功研製出相當於第四代半ArFi的光源。
中科院、長春光機所、哈爾濱工業大學聯合研製成功12w DDP-EUV。
ArFi 中的“i”代表“沉浸”。
物鏡開發：
光學系統是曝光設備的主要組成部分之一。
ASML物鏡：
ASML獨家使用德國蔡司鏡頭。
日本物鏡：
佳能和尼康都有自己的鏡頭。 作為光學製造商來說這是有利的。
中國物鏡：
90nm由“長春阿普光學技術有限公司”開發。
“長春光學所”正在研發32nm EUV鏡頭。
但與蔡司的差距還是很大的。
雙晶圓台系統：
可以在一套曝光系統中同時處理兩塊晶圓。
同時進行曝光和測量的系統。
中文寫作“雙股台”。
中國的“雙台”：
清華大學和華卓精準醫療）實現了10nm（運動精度）。
順便說一句，ASML已經實現了低至2nm的工藝。
浸沒式曝光系統級別：
我們開發了一種使用短波長光源的浸沒式曝光系統。
我們得到了 ArF 浸沒式光刻和 EUV 光刻。
什麼是ArF浸沒曝光：
光源使用波長193nm的“ArF光源”。
利用該技術，可以以10納米一代的加工精度形成圖案。
浙江奇爾機電：
中國浙江奇爾機電已成功實現ArFi浸沒式光刻。
ASML在EUV曝光方面領先於中國。
中國在功率半導體方面的競爭：
美國加強了對中國高端半導體製造的製裁。
另一方面，中國將轉向製造大線寬的中產半導體。
此外，功率半導體製造也將得到加強。
中國功率半導體：
2020年，中國IGBT（絕緣柵雙極晶體管）自給率為20%。
到2024年，自給率預計將達到40%。
美國製裁的有效性：
中國在太空發展方面已經超越美國。
美國對華製裁外交是有期限的。
https://news.yahoo.co.jp/expert/articles/6a65579cd968bf1688062a18f07c0d2e0d6262c1