InvenSense 6轴组合传感器。 XYZ轴加速度计和3轴陀螺仪的组合。用带有特殊腔体的“腔体SOI”制成
英特尔:半导体/ MEMS市场行踪:与台积电的差距
-东北大学田中教授的评语-
东北大学田中教授:
东北大学的田中教授解释了半导体/ MEMS市场的动向。
田中教授在活动中说:“英特尔与台积电之间的制造技术差异仅在扩大。”
英特尔是半导体行业的“冠军”,而台积电是最大的半导体合同工厂。
双方目前的位置在哪里?
从半导体和MEMS的最新趋势来看,
甚至复兴国内制造业的建议
总结田中先生演讲的内容。
A.“冠军”英特尔的不耐烦
-台积电技术能力的差异很明显-
英特尔的痛苦:
英特尔长期以来一直是半导体制造商之王。
英特尔被定位为IDM(集成设备制造商),并始终在内部执行所有半导体工艺。
但是近年来,英特尔一直处在困境中。
自2016年以来,由于10nm制程的成品率问题,已经花费了一些时间来供应CPU。
此外,这导致了“内存衰退”,其中内存价格暴跌。
据报道,2020年NVIDIA的市值超过了英特尔。
NVIDIA的崛起:
NVIDIA被称为“在AI中引起关注的通用GPU的无晶圆厂制造商”。
fabless是没有生产工厂的制造业。
高通,博通,苹果和其他公司实际上都是无晶圆厂半导体制造商。
英特尔,仍采用7nm工艺:
英特尔一直是半导体制造“小型化”的领导者。
但是,我们目前正在努力启动7nm工艺。
台积电在3nm制程方面领先:
台积电计划在2022年开始生产3nm工艺CPU。
制造技术的差距正在扩大。
通常,过程越精细,功耗越低。
制造技术的差异不限于小型化技术。
台积电芯片技术:
用于服务器的CPU不是由微芯片组成,而是通过将它们划分为多个功能部件来制造的。
在内插器(通过穿通电极传导前后电路的基板)上并排制造。
这种称为芯片技术的方法作为一种新方法正在引起人们的注意。
英特尔在该小芯片技术方面也落后于台积电。
如果差距继续扩大,英特尔可能会放弃对尖端半导体工艺的研究和开发。
B.美国政府的挫败感
-吸引台积电工厂并专注于半导体制造-
在这种情况下,美国政府感到强烈的危机感。
他说:“一旦停止了对尖端半导体工艺的研究和开发,就无法在以后恢复。”
将来,美国可能会成为一个可以设计半导体但不能自己制造半导体的国家。
吸引台积电赴美:
急躁的美国政府将邀请台湾台积电的一家工厂到亚利桑那州。
计划于2024年开始使用最新的5nm工艺生产线。
但是,预计“到2024年生产线投产时,TSMC的3nm工艺将成为主流。”
美国工厂“此时已不再处于最前沿”。
台湾政府的计划:
台湾政府将向美国提供一个小型台积电工厂。
“这就是为什么我们可以从美国政府那里获得安全和外交奖励的原因。”
无晶圆厂模型的坑:
由于无晶圆厂模式的巨大成功,美国“陷入了一个巨大的陷阱”。
“无视半导体制造而被抛弃”已经来到美国。
它是实物资本密集型,
泥泞的
它没有转过身,
他轻描淡写了半导体制造技术的重要性。
美国半导体制造技术的下降:
但是在美国
不可否认的是,“计算机的易用性已经被吹捧,而不是物理制造。”
在美国知名大学的研究中,设计领域一直受到重视。
“英特尔无法令人满意地启动5nm工艺”在很大程度上反映了“美国半导体制造技术的不成熟。”
“美国最好的学生回避了半导体制造领域。”
台湾半导体制造水平出众:
另一方面,在台湾
众所周知,“台湾最好的年轻人在台积电工作”。
还,
台湾半导体制造厂的微制造设施是DX中最先进的工作场所之一。”
换句话说,可以说这种半导体制造技术正在拯救台湾。
C.MEMS无晶圆厂模型
-“制造过程”是一个重要的关键-
“ MEMS”(微机电系统),也是无晶圆厂模型形式之一
机器零件和
传感器,
执行器
电子电路等
“ MEMS”集成在一个硅衬底或板条衬底上。
同样,现场制造过程也起着重要作用。
半导体设计与制造技术:
这是汽车的两个车轮,一个车轮可以行驶的距离不长。
不用说,与现场制造相一致的是不断改进微细加工技术,这一点很重要。
成功的无晶圆厂MEMS:
无晶圆厂MEMS最著名的成功案例是美国的InvenSense。
InvenSense成立于2003年,正以惊人的速度增长。
2011年在纽约市场首次公开募股后
TDK在2016年以1500亿日元的价格收购了它。
InvenSense MEMS传感器:
据说该MEMS晶片在以下方面与常规方法不同。
连接ASIC晶片和
在电连接MEMS和ASIC的同时
同时,以损耗水平封装MEMS
卓越的InvenSense产品:
您也可以“同时制作3轴加速度计和陀螺仪传感器”。
换句话说,六轴组合传感器变得非常小。
InvenSense产品已被游戏机和智能手机接受。
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