SiC-MOSFET结构的剖面图来源:三菱电机

Semi conductor, Diode

NEDO:Edge AI芯片:功效10倍,SLAM处理时间为1/20

LSI, AI, Semi conductor, Diode

日本:半导体制造商,韩国本地生产:Tosoh,ADEKA,东京电子

Semi conductor, Diode

ROHM:开发1200V / 4th SiC MOSFET:汽车动力总成系统

Semi conductor, Diode

芝浦工业大学:氟树脂上的细铜布线:准分子光照射/线宽100μm形成

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