韩国：三星的半导体制造危机
-3nm GAA-风险生产：良率10%到20%-
三星：
下一代标准 3nm 计划于 2022 年上半年量产。
进行风险生产时，收益率为10%~20%。
韩国媒体SBS Biz报道。
风险产生：
在客户订购之前进行的原始试生产。
三星的3nm技术：
开发GAA（Gate-All-Around）技术，
采用MBC FET（多桥通道FET）技术。
与 5nm EUV 相比
面积减少高达 35%，
性能提升高达 30%，
功耗似乎降低了 50%。
竞争对手GAA技术：
台积电
它用于2nm，称为N2。
英特尔
它在 2nm 被采用，称为 Intel 20A。
三星
三星是业内第一个采用它的公司。
收益率 10%：
每个晶圆的 10% 是符合标准的产品，90% 是不符合标准的产品。
只是，
良率是 10% 到 20%，因为 4nm 量产是 35%。
可以理解为优秀。
但，
即使采用 4nm 的老技术，
由于良品率不超过50%，
即使新技术提高了良率
很多次品出现的情况没有改变。
三星的 3nm 技术被迫进入艰难的生产阶段。
–瑞魅族
韓國：三星的半導體製造危機
-3nm GAA-風險生產：良率10%到20%-
三星：
下一代標準 3nm 計劃於 2022 年上半年量產。
進行風險生產時，收益率為10%~20%。
韓國媒體SBS Biz報導。
風險產生：
在客戶訂購之前進行的原始試生產。
三星的3nm技術：
開發GAA（Gate-All-Around）技術，
採用MBC FET（多橋通道FET）技術。
與 5nm EUV 相比
面積減少高達 35%，
性能提升高達 30%，
功耗似乎降低了 50%。
競爭對手GAA技術：
台積電
它用於2nm，稱為N2。
英特爾
它在 2nm 被採用，稱為 Intel 20A。
三星
三星是業內第一個採用它的公司。
收益率 10%：
每個晶圓的 10% 是符合標準的產品，90% 是不符合標準的產品。
只是，
良率是 10% 到 20%，因為 4nm 量產是 35%。
可以理解為優秀。
但，
即使採用 4nm 的老技術，
由於良品率不超過50%，
即使新技術提高了良率
很多次品出現的情況沒有改變。
三星的 3nm 技術被迫進入艱難的生產階段。
–瑞魅族