GaN錠：連續激光照射
ー從錠切出晶圓ー
-Disco的新型晶圓分離技術-
我們將提供 Nikkei Cross Tech (xTECH) 文章的摘要。
精密加工設備製造商：DISCO
氮化鎵（GaN），一種功率半導體材料
我們開發了一種從錠切割晶圓的新工藝（圖 1）。
DISCO 從 GaN 晶錠中分離晶圓的新技術。
採用新流程
Disco Japan 於 2023 年 7 月 3 日宣布“使用激光快速且無浪費地剝離晶圓的技術”。
2 英寸（5 厘米）矽錠的晶圓產量可提高 38%。
每小時生產的紙張數量比傳統機器提高了6倍。
目前處於原型階段。 我們將繼續朝量產方向發展。
下一代功率半導體材料GaN：
GaN 具有比碳化矽 (SiC) 更高的物理性能。
作為下一代功率半導體材料而備受關注。
GaN襯底價格昂貴
為了最大限度地提高利用率，需要垂直 GaN，即 GaN 襯底上的一層 GaN。
然而，目前GaN襯底比Si和SiC更昂貴。
這是阻礙垂直GaN普及的因素之一。
GaN 的 KABRA 工藝
這次是DISCO開發的新工藝。
DISCO 已經對 SiC 應用了一種名為“KABRA”的工藝。
使用聚焦激光以所需的切片深度連續照射 GaN 錠。
提供分離層並釋放所需厚度的晶片。
將其拋光以形成晶片。
對於線鋸工藝：
傳統上，切割過程使用金剛石線鋸。
材料損失發生的厚度等於線鋸的厚度。
此外，在切割過程中晶片表面會出現波紋。
而且，切割後，必須將表面大部分刮掉。
用於激光加工
切割時材料損失最小，表面光滑。
激光加工具有高吞吐量。
切割和拋光過程中材料損失更少。
https://xtech.nikkei.com/atcl/nxt/column/18/01537/0086
2023 | News | DISCO Corporation
High mass-productivity：
Φ4 inch GaN Wafer after separation and grinding
High throughput：
Developed a special optical system and processing method optimized for GaN
Efficient creation of KABRA layer*1 due to short stage scanning distance
High yield：
Efficiently discharges the Nitrogen that is produced within the material and prevents wafer breakage by also creating a uniform KABRA layer near the edge of the ingot
KABRA Process Flow for GaN Wafer Mass Production
Laser is irradiated inside the ingot and KABRA layer is formed
Ingot separated into wafer
Wafer ground to specified thickness
Ingot upper surface ground for next laser irradiation