💻开发用于非易失性MRAM的3D堆叠过程
研究人员：纳米电子学研究所无所不在的MEMS和微工程研究中心; JST和内阁办公室
概要
研究人员已经开发出一种用于磁阻随机存取存储器（MRAM）的堆叠技术，以分别形成单晶隧道磁阻（TMR）薄膜，然后将其结合到CMOS。
http://www.aist.go.jp/aist_e/list/latest_research/2018/20180514/en20180514.html
💻开发用于非易失性MRAM的3D堆叠过程
研究人员：纳米电子学研究所无所不在的MEMS和微工程研究中心; JST和内阁办公室
概要
研究人员已经开发出一种用于磁阻随机存取存储器（MRAM）的堆叠技术，以分别形成单晶隧道磁阻（TMR）薄膜，然后将其结合到CMOS。
http://www.aist.go.jp/aist_e/list/latest_research/2018/20180514/en20180514.html