💡东京工业大学成功制造出用于晶圆级太阳能电池的硅薄膜
预计将以10倍或更多的增长率大幅降低制造成本
要旨
- 成功形成高质量的太阳能电池Si单晶薄膜的生长速度比传统高10倍以上
- 纳米表面粗糙度控制技术将晶体缺陷密度降低到硅晶圆级
- 开发保持单晶硅太阳能电池发电效率的技术可以大幅降低成本
摘要
东京工业物质理工应用化学学夫井原教授，长谷川KaoruSuke教学我与科学与工程于野田早稻田学院教授协作发现，高品质的单晶Si具有降低结晶缺陷密度的硅（Si）晶片级我们成功制造了比以前高10倍以上的薄膜。由于理论上提高原料收率接近100％，同时保持单晶Si太阳能电池的发电效率可以预期显著降低制造成本。
东京技术新闻|东京工业大学